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李荣

作品数：2 被引量：6H指数：2
供职机构：辽宁师范大学物理与电子技术学院更多>>
发文基金：辽宁省博士科研启动基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电致发光
  • 1篇形貌
  • 1篇异质结
  • 1篇气相
  • 1篇气相沉积
  • 1篇气相沉积法
  • 1篇磷掺杂
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇化学气相沉积...
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇P型
  • 1篇P型ZNO
  • 1篇SI异质结
  • 1篇ZNO
  • 1篇CVD
  • 1篇CVD法
  • 1篇材料形貌

机构

  • 2篇辽宁师范大学
  • 1篇大连理工大学
  • 1篇大连民族学院

作者

  • 2篇徐坤
  • 2篇李荣
  • 2篇郭慧颖
  • 2篇冯秋菊
  • 1篇吕佳音
  • 1篇蒋俊岩
  • 1篇刘佳媛
  • 1篇梁红伟
  • 1篇刘洋
  • 1篇许瑞卓
  • 1篇陶鹏程
  • 1篇唐凯
  • 1篇李梦轲
  • 1篇宋哲

传媒

  • 2篇物理学报

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
衬底位置对化学气相沉积法制备的磷掺杂p型ZnO纳米材料形貌和特性的影响被引量：2
2014年
采用化学气相沉积方法,在无催化剂的条件下,通过改变衬底位置在Si(100)衬底上制备出了高取向的磷掺杂ZnO纳米线和纳米钉.测试结果表明,当衬底位于反应源上方1.5 cm处时,所制备的样品为钉状结构,而当衬底位于反应源下方1 cm处时样品为线状结构.对不同形貌磷掺杂ZnO纳米结构的生长机理进行了研究.此外,在ZnO纳米结构的低温光致发光谱中观测到了一系列与磷掺杂相关的受主发光峰.还对磷掺杂ZnO纳米结构/n-Si异质结I-V曲线进行了测试,结果表明,该器件具有良好的整流特性,纳米线和纳米钉异质结器件的开启电压分别为4.8和3.2 V.
冯秋菊许瑞卓郭慧颖徐坤李荣陶鹏程梁红伟刘佳媛梅艺赢
关键词：化学气相沉积
CVD法制备p-ZnO薄膜/n-Si异质结发光二极管及其性能研究被引量：4
2013年
利用简单的化学气相沉积方法,首先在n-Si衬底上生长Sb掺杂p-ZnO薄膜,并在此基础上制作了p-ZnO/n-Si异质结发光二极管.对制备的Sb掺杂ZnO薄膜在800℃下进行了热退火处理,发现退火后样品的晶体质量和表面形貌都得到明显提高,并且薄膜呈现的电导类型为p型,载流子浓度为9.56×1017cm-3.此外,该器件还表现出良好的整流特性,正向开启电压为4.0V,反向击穿电压为9.5V.在正向45mA的注入电流条件下,器件实现了室温下的电致发光.这说明较高质量的ZnO薄膜也可以通过简单的化学气相沉积方法来实现,这为ZnO基光电器件的材料制备提供了一种简单可行的方法.
冯秋菊蒋俊岩唐凯吕佳音刘洋李荣郭慧颖徐坤宋哲李梦轲
关键词：CVD异质结电致发光
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共1页<1>
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