王勇淮
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：高等学校科技创新工程重大项目国家自然科学基金国家部委预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 极化效应对AlGaN/GaN异质结p-i-n光探测器的影响
- 2012年
- 基于等效薄层电荷近似模拟表征极化电荷的作用,通过自洽求解Poisson-Schrodinger方程以及求解载流子连续性方程,计算并且讨论了p-AlGaN层掺杂浓度和界面极化电荷对AlGaN/GaN异质结p-i-n紫外探测器能带结构和电场分布以及光电响应的影响.结果表明,极化效应与p-AlGaN层掺杂浓度相互作用对探测器性能有较大影响.其中,在完全极化条件下,p-AlGaN层掺杂浓度越大,p-AlGaN层的耗尽区越窄,i-GaN层越容易被耗尽,器件光电流越小.在一定掺杂浓度条件下,极化效应越强,p-AlGaN层的耗尽区越宽,器件的光电流越大.最后还分析了该结构在不同温度下的探测性能,证明了该结构可以在高温下正常工作.
- 刘红侠高博卓青青王勇淮
- 关键词：ALGAN/GAN异质结光探测器极化效应
- 极化效应对ALGaN/GaN异质结pin光探测器的影响
- GaN基材料作为第三代半导体的典型代表,具有宽禁带、高电子漂移饱和速度、高击穿电场、低介电常数等优点,被广泛应用于光电、高频、大功率器件制作等领域。其中,AlGaN合金材料随着Al组分在0～1之间变化,其禁带宽度在3.4...
- 王勇淮
- 关键词：极化效应GAN基材料紫外探测器晶体管
- AlGaN/GaN异质结中二维电子气多子带解析建模
- 2011年
- 为了能够方便精确地研究AxlGa1-xN/GaN异质结中二维电子气性质,提出一种多子带二维电子气的解析模型.利用此模型能够求出二维电子气能带、子能级、波函数和量子特性的解析解.通过模型计算还可以得到二维电子气的分布变化、面电子密度、基带能级、费米能级和势阱随Al组分及AlGaN层厚度的改变.与泊松-薛定谔自洽求解结果相比较,此模型能够给出精确的结论,并避免了泊松-薛定谔自洽求解复杂的数值计算和耗时长等缺点.
- 刘红侠卢风铭王勇淮宋大建武毅
- 关键词：二维电子气能级分布
