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宋大建

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家部委预研基金高等学校科技创新工程重大项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇单粒子
  • 1篇单粒子翻转
  • 1篇异质结
  • 1篇应变硅
  • 1篇能级
  • 1篇能级分布
  • 1篇子带
  • 1篇二维电子
  • 1篇二维电子气
  • 1篇SOI
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇MOS器件

机构

  • 2篇西安电子科技...

作者

  • 2篇宋大建
  • 1篇王勇淮
  • 1篇卢风铭
  • 1篇刘红侠
  • 1篇武毅

传媒

  • 1篇西安电子科技...

年份

  • 2篇2011
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
AlGaN/GaN异质结中二维电子气多子带解析建模
2011年
为了能够方便精确地研究AxlGa1-xN/GaN异质结中二维电子气性质,提出一种多子带二维电子气的解析模型.利用此模型能够求出二维电子气能带、子能级、波函数和量子特性的解析解.通过模型计算还可以得到二维电子气的分布变化、面电子密度、基带能级、费米能级和势阱随Al组分及AlGaN层厚度的改变.与泊松-薛定谔自洽求解结果相比较,此模型能够给出精确的结论,并避免了泊松-薛定谔自洽求解复杂的数值计算和耗时长等缺点.
刘红侠卢风铭王勇淮宋大建武毅
关键词：二维电子气能级分布
MOS器件单粒子翻转效应研究
随着集成电路的广泛应用,特征尺寸的不断减小,辐射环境下各种辐射粒子引起的单粒子翻转效应日益严重。研究半导体器件的单粒子翻转效应,提高其抗单粒子翻转的能力,成为近年来国内外微电子学领域的重要课题。 本文首先介绍了...
宋大建
关键词：MOS器件SOI应变硅
文献传递
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