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卢风铭

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家部委预研基金高等学校科技创新工程重大项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电容
  • 1篇电容电压
  • 1篇电特性
  • 1篇电压
  • 1篇淀积
  • 1篇异质结
  • 1篇原子层淀积
  • 1篇栅结构
  • 1篇能级
  • 1篇能级分布
  • 1篇子带
  • 1篇二维电子
  • 1篇二维电子气
  • 1篇SIO2
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇MIS

机构

  • 2篇西安电子科技...

作者

  • 2篇卢风铭
  • 1篇王勇淮
  • 1篇刘红侠
  • 1篇宋大建
  • 1篇武毅

传媒

  • 1篇西安电子科技...

年份

  • 2篇2011
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
高k叠栅结构与FinFET器件的电特性研究
集成电路工艺的不断发展使得器件的特征尺寸接近电子的德布罗意波长,量子效应变得十分明显。电子的直接隧穿效应将导致栅介质的泄漏电流急剧增大,栅氧化层的可靠性问题日益突出,栅介质层的厚度成为限制纳米器件特性的主要因素。为了提高...
卢风铭
关键词：原子层淀积
文献传递
AlGaN/GaN异质结中二维电子气多子带解析建模
2011年
为了能够方便精确地研究AxlGa1-xN/GaN异质结中二维电子气性质,提出一种多子带二维电子气的解析模型.利用此模型能够求出二维电子气能带、子能级、波函数和量子特性的解析解.通过模型计算还可以得到二维电子气的分布变化、面电子密度、基带能级、费米能级和势阱随Al组分及AlGaN层厚度的改变.与泊松-薛定谔自洽求解结果相比较,此模型能够给出精确的结论,并避免了泊松-薛定谔自洽求解复杂的数值计算和耗时长等缺点.
刘红侠卢风铭王勇淮宋大建武毅
关键词：二维电子气能级分布
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