王学敏
- 作品数：4 被引量：15H指数：2
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院材料科学系更多>>
- 发文基金：高等学校骨干教师资助计划教育部科学技术研究重点项目四川省学术和技术带头人培养资金更多>>
- 相关领域：理学核科学技术更多>>
- CdSe单晶体气相生长过程中的相平衡被引量：2
- 2002年
- 化学配比对CdSe单晶体的性能有较大的影响。本文根据相平衡原理 ,利用热力学分析方法 ,分析了CdSe单晶体的气相生长过程 ,阐明了控制化学配比的原理 ,指出只有在固 -液 -气三相平衡或接近三相平衡的条件下 ,才能生长出符合化学配比的CdSe单晶体 ;同时还指出利用符合化学配比的CdSe多晶原料 ,在 112 0～ 1130℃可以生长出符合化学配比的CdSe单晶体。
- 金应荣朱世富赵北君王学敏宋芳李奇峰
- 关键词：相平衡热力学分析
- CdSe单晶体的生长研究被引量：1
- 2000年
- 硒化镉 (CdSe)晶体有两种结构 ,一种是六方结构 ,6mm点群 ;另一种是立方结构 ,43m点群。其中六方结构的硒化镉晶体是一种新型的性能优异的室温半导体探测器材料。其能隙较大 (Eg =1 .75eV) ,电阻率较高 ( 1 0 12 Ω·cm) ,在室温高偏压下 ,漏电流很小 ,电子和空隙迁移率较大 ( μc=72 0cm2 /V·s,μh=75cm2 /V·s) ,电子俘获浓度大 (Nt=1 0 14 /cm3 ) ,电荷收集效率高 ,稳定性好 ,没有像在CdTe和HgI2 晶体中观测到的极化现象 ,力学、热学和化学稳定性能也优于HgI2 晶体。因此 ,CdSe晶体是一种有希望替代CdTe和HgI2 的室温核辐射探测器新材料 ,用其制作的探测器和各种谱仪可广泛用于探矿、无损检测、核医学、环境监测、军事和空间宇航技术等领域。CdSe晶体熔点高达 1 2 39℃ ,在熔点附近平衡蒸汽压高达十几个大气压 ,因此其单晶体难以用常规的熔体法生长。我们采用水平气相输运法进行了CdSe单晶体生长试验 ,对其在不同温度和温度梯度下的结晶特性进行了研究 ,确定出生长六方CdSe单晶的较好工艺参量为 :源区蒸发温度 1 1 0 0℃ ,生长界面附近温度梯度为 6℃ /cm ,生长区与源区的距离大约为 1 2cm。在此条件下 ,生长出1 0× 1 2mm外观完整 ,有自然显露晶面的CdSe晶锭。
- 朱世富赵北君于丰亮李正辉李其峰邵双运朱兴华王学敏何苗林剑
- 关键词：晶体结构温度梯度
- CdSe单晶体的生长及其特性研究被引量：9
- 2001年
- 本文报道了用改进的垂直气相法 (多级提纯垂直气相法 )生长富Cd的CdSe单晶体 ,并对晶体的性能进行了观测 ,其电阻率为 10 7Ωcm量级 ,电子陷阱浓度为 10 8cm- 3量级 ,第一次报道了 (110 )面的腐蚀形貌。结果表明 :采用这种方法制备CdSe单晶 ,设备简单 ,易于操作 ,在提纯和生长过程中不需要转移原料 ,有利于减少晶体中的杂质含量 ,降低位错密度 ,改善晶体的电学性能。多级提纯垂直气相法是一种有前途的CdSe单晶体生长的新方法。
- 邵双运金应荣朱世富赵北君宋芳王学敏朱兴华
- 关键词：气相生长电阻率
- 制备室温CdSe探测器的研究被引量：3
- 2001年
- 报道了用改进的垂直气相法 (多级提纯垂直气相法 )生长出尺寸达 1 0mm× 40mm富含Cd的CdSe单晶锭 ,电阻率为 1 0 5× 1 0 7Ω·cm ,陷阱俘获浓度为(1 45～ 2 1 8)× 1 0 8cm- 3.研究了室温探测器CdSe单晶的表面处理技术 ,初步摸索出了一套制备CdSe探测器的有效工艺 .
- 宋芳赵北君朱世富金应荣邵双运杨文彬王学敏于丰亮李正辉
- 关键词：半导体探测器
