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薛晓咏

作品数：6 被引量：3H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇拉曼
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇势垒
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇频移
  • 2篇迁移率
  • 2篇去污
  • 2篇外延层
  • 2篇晶体管
  • 2篇高电子迁移率
  • 2篇高电子迁移率...
  • 2篇薄膜应力
  • 2篇GAN外延层
  • 2篇槽栅
  • 2篇场板
  • 2篇成核
  • 1篇氮化镓
  • 1篇氮化镓材料
  • 1篇透射电子显微...
  • 1篇位错

机构

  • 6篇西安电子科技...

作者

  • 6篇薛晓咏
  • 5篇郝跃
  • 4篇马晓华
  • 3篇张进成
  • 3篇许晟瑞
  • 2篇解露
  • 2篇王党会
  • 2篇艾姗
  • 2篇付小凡
  • 2篇毕志伟
  • 2篇毛维
  • 2篇王冲
  • 2篇奚鹏程
  • 2篇张进城
  • 2篇李亮
  • 2篇张金凤
  • 2篇陈珂
  • 2篇赵胜雷
  • 1篇马俊彩
  • 1篇吕玲

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2013
  • 4篇2012
  • 1篇2011
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
阶梯型凹槽栅高电子迁移率晶体管
本发明公开了一种阶梯型凹槽栅高电子迁移率晶体管，主要解决现有技术的击穿电压低和场板制作工艺复杂的问题。该器件自下而上包括：衬底(1)、成核层(2)、主沟道层(3)和主势垒层(4)，主势垒层(4)顶端两侧为源极(5)和漏极...
张进成付小凡郝跃马晓华王冲陈珂奚鹏程解露李亮薛晓咏
阶梯型凹槽栅高电子迁移率晶体管
本发明公开了一种阶梯型凹槽栅高电子迁移率晶体管，主要解决现有技术的击穿电压低和场板制作工艺复杂的问题。该器件自下而上包括：衬底(1)、成核层(2)、主沟道层(3)和主势垒层(4)，主势垒层(4)顶端两侧为源极(5)和漏极...
张进成付小凡郝跃马晓华王冲陈珂奚鹏程解露李亮薛晓咏
文献传递
a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的拉曼表征方法
本发明公开了一种a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的拉曼表征方法。其实现流程为：首先，对a面GaN外延层薄膜进行表面清洁；其次，对其进行拉曼散射测试，得到腐蚀前E<Sub>2</Sub>声子模的频移值；然后，对薄膜样品进行KO...
郝跃王党会许晟瑞张进城张金凤毕志伟毛维马晓华赵胜雷薛晓咏艾姗
文献传递
斜切蓝宝石衬底MOCVD生长GaN薄膜的透射电镜研究被引量：2
2012年
利用MOCVD技术在斜切角度为0.3°的c面蓝宝石衬底上生长了非故意掺杂GaN薄膜,并采用透射电子显微镜对材料的质量和材料内部缺陷进行了分析.研究发现斜切蓝宝石衬底上外延的GaN材料中,位错在距离衬底0.8μm附近大量湮灭,同时位错扎堆出现.基于上述现象,提出了斜切衬底上GaN材料中位错的湮灭机制,解释了斜切衬底能够提高GaN晶体质量的原因.
林志宇张进成许晟瑞吕玲刘子扬马俊彩薛晓咏薛军帅郝跃
a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的拉曼表征方法
本发明公开了一种a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的拉曼表征方法。其实现流程为：首先，对a面GaN外延层薄膜进行表面清洁；其次，对其进行拉曼散射测试，得到腐蚀前E<Sub>2</Sub>声子模的频移值；然后，对薄膜样品进行KO...
郝跃王党会许晟瑞张进城张金凤毕志伟毛维马晓华赵胜雷薛晓咏艾姗
氮化镓材料的不同极性面拉曼光谱分析
氮化镓(GaN)材料由于拥有宽的禁带宽度和高的击穿电场，在高功率和高频器件上有重要的应用。AlGaN/GaN结构材料虽然在生长和制备的质量上取得了很大的进展，但是由于衬底和外延层之间的失配，生长出来的GaN上仍然存在着大...
薛晓咏
关键词：氮化镓材料晶格振动光谱分析
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