许佳宜
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：华东师范大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 高压MOSFET直流特性宏模型的建立与参数优化
- 2008年
- 分析了SPICE BSIM3模型对高压双扩散漏MOSFET(HV double diffuse drain MOSFET)模拟过程中产生的较大偏差,有针对性地提出一种由nMOSFET,MESFET,二极管等常规SPICE器件组成的高压晶体管宏模型.该宏模型结构简单、使用方便,能准确描述HVMOS的I-V特性.为了提高该模型的尺寸可缩放性(scalability),将MESFET阈值电压对体电压的敏感因子K1进行优化,提取了不同沟道尺寸(W/L)下K1取值的半经验公式,使该宏模型能够适用于不同尺寸的晶体管,大大提高了它的实用价值.该尺寸可缩放宏模型(scalable macromodel)能应用于基于SPICE模型的各种通用EDA软件.
- 许佳宜石艳玲任铮胡少坚万星拱丁艳芳赖宗声
- 关键词：MESFETSPICE模型
- 高压MOSFET Ⅰ-Ⅴ特性宏模型的建立与研究
- 近年来,高压集成电路工艺的发展以及高压晶体管与低压模块兼容工艺的进步,使高压器件越来越广泛地应用于各种功率集成电路,如驱动电路、接口电路、电源芯片管理电路等,人们对高压MOS晶体管的研究也日益深入。高压双扩散漏MOSFE...
- 许佳宜
- 关键词：SPICE模型MESFET参数优化
- 文献传递
