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郑元宇

作品数：9 被引量：9H指数：2
供职机构：厦门大学物理与机电工程学院半导体光子学研究中心更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇发光
  • 4篇掺杂
  • 3篇发光性
  • 3篇锗
  • 2篇电学
  • 2篇电学特性
  • 2篇外延层
  • 2篇量子效率
  • 2篇光性质
  • 2篇光增益
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇硅基
  • 2篇发光性质
  • 2篇N型
  • 2篇N型掺杂
  • 2篇SI基
  • 1篇电致发光
  • 1篇多量子阱
  • 1篇应变超晶格

机构

  • 9篇厦门大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇韩山师范学院

作者

  • 9篇郑元宇
  • 7篇李成
  • 7篇陈松岩
  • 7篇赖虹凯
  • 6篇黄诗浩
  • 5篇陈城钊
  • 1篇李成
  • 1篇陈诚钊
  • 1篇汤梦饶
  • 1篇黄巍
  • 1篇陈阳华
  • 1篇黄魏

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇半导体光电
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 2篇2012
  • 6篇2011
  • 1篇2010
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
利用低温缓冲层和应变超晶格技术制备高质量的锗材料
提出一种结合低温缓冲层和应变超晶格优势的制备方法，利用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)设备，在Si(100)衬底上外延出厚度约为880 nm的高质量纯Ge层。原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.45nm，XR...
陈城钊郑元宇黄诗浩李成赖虹凯陈松岩
关键词：应变超晶格
高质量Si基Ge材料外延生长及其MOS结构界面特性研究
Si基Ge材料具有较高的载流子迁移率，并且与传统硅工艺相兼容，是未来制备先进CMOS器件和Si基光电子器件的理想材料之一。然而，由于Si与Ge之间品格失配度大，在Si衬底上外延生长高质量的Ge材料仍然是一个重大的挑战。在...
郑元宇
关键词：原位掺杂电学特性
Si基外延Ge上NiGe薄膜热稳定性及电学特性研究
对张应变的Si基外延Ge上NiGe薄膜的热稳定性以及NiGe与外延Ge接触的电学特性进行了研究。通过四探针等测试，表明张应变外延Ge上NiGe薄膜的热稳定性比N型c-Ge上NiGe薄膜的热稳定性提高了100℃，可能的原因...
汤梦饶黄巍李成郑元宇
关键词：热稳定性电学特性金属-氧化物-半导体器件
硅基低位错密度厚锗外延层的UHV/CVD法生长被引量：4
2012年
利用超高真空化学气相淀积系统,基于低温缓冲层和插入应变超晶格的方法,在Si(100)衬底上外延出厚度约为880nm的纯Ge层.采用X射线双晶衍射、高分辨透射电镜、原子力显微镜和光致发光谱分别表征了其结构及光学性质.测试结果显示外延Ge的X射线双晶衍射曲线半高宽为273″,表面均方根粗糙度为0.24 nm,位错密度约为1.5×10~6cm^2.在室温下观测到外延Ge的直接带跃迁光致发光,发光峰值位于1540 nm.表明生长的Si基Ge材料具有良好的结晶质量,可望在Si基光电子器件中得到应用.
陈城钊郑元宇黄诗浩李成赖虹凯陈松岩
关键词：UHV/CVD光致发光谱
基于直接带跃迁的n型掺杂张应变Ge的发光性质
Ge的直接带跃迁发光性质可以通过n型掺杂和张应变得到增强。本文从理论上计算了应变作用下Ge的能带结构以及载流子在导带中的分布，通过分析载流子在直接带和间接带间的辐射复合和非辐射复合的竞争，计算了n型掺杂张应变Ge材料直接...
黄诗浩李成陈城钊郑元宇陈松岩赖虹凯
关键词：量子效率光增益
N型掺杂应变Ge发光性质被引量：3
2012年
应变锗材料具有准直接带特性,而且与标准硅工艺兼容,成为实现硅基发光器件重要的候选材料之一.本文基于van de Walle形变势理论,计算了应变情况下半导体Ge材料的能带结构以及载流子在导带中的分布;通过分析载流子直接带和间接带问的辐射复合以及俄歇复合、位错等引起的非辐射复合的竞争,计算了N型掺杂张应变Ge材料直接带跃迁的内量子效率和光增益等发光性质.结果表明,张应变可有效增强Ge材料直接带隙跃迁发光.在1.5%张应变条件下,N型掺杂Ge的最大内量子效率可以达到74.6%,光增益可以与Ⅲ-V族材料相比拟.
黄诗浩李成陈城钊郑元宇赖虹凯陈松岩
关键词：量子效率光增益
硅基锗薄膜外延及锗MOS电容的界面特性研究
采用低温Ge和SiGe／Ge超晶格相结合，吸收过滤因晶格失配在硅／锗界面处产生的失配位错向表面的穿透，制备出低位错密度、高质量的硅基Ge单晶薄膜。在具有硅盖层的硅基锗外延材料上，通过热氧化形成二氧化硅绝缘层，制备出硅基G...
李成郑元宇陈诚钊黄诗浩黄魏赖虹凯陈松岩
关键词：MOS电容位错密度
文献传递
Si基Ge外延薄膜材料发光性能研究进展
2011年
理论和实验研究表明,在一定的应变和掺杂浓度下,Si基外延Ge薄膜能实现1.55μm光通信波段的直接带隙发光。讨论了Si基外延Ge材料的生长技术及其能带结构,结合本小组近年来在该领域所取得的成果,介绍了国内外各研究机构对Ge薄膜发光材料和器件的研究进展,展望了未来的发展趋势。
黄诗浩李成陈城钊郑元宇赖虹凯陈松岩
关键词：掺杂光致发光电致发光
Si基外延Ge薄膜及退火对其特性的影响研究被引量：2
2011年
采用超高真空化学气相沉积(UHV-CVD)系统,用低温Ge缓冲层技术在Si衬底上外延了张应变Ge薄膜。扫描电镜(TEM)图表明Si基外延Ge薄膜拥有低的位错密度,原子力显微镜(AFM)测试Ge层表面粗糙度仅为1.2 nm。对Si基外延Ge薄膜进行了不同温度下的退火,并用双晶X射线衍射(DCXRD)曲线和Raman谱进行表征。结果表明,Si基外延Ge薄膜受到的张应变随退火温度呈线性增加,当退火温度达到850℃时Si和Ge发生严重的互扩散,这种互扩散改变了室温PL谱,影响外延Ge薄膜特性。
郑元宇李成陈阳华赖虹凯陈松岩
关键词：退火互扩散
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