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倾斜度测量装置: 本发明是一种倾斜度测量装置，特别是一种倾斜度测量传感器及可补偿温度变化的测量电路。倾斜度测量传感器是由绝缘材料制成的、二个鼓面内壁有三个金属电极的鼓状容器，里面充有一半体积的导电液，该传感器的输出信号输入到测量电路运算放...; 戴仁慈李生强陈国明

反应离子束刻蚀闪耀光栅技术: 1989年; 一、引言反应离子束刻蚀是在离子束刻蚀基础上发展起来的具有广泛应用前景的微细加工技术.近年来,已被用来制作全息闪耀光栅.二、实用全息闪耀光栅反应离子束刻蚀全息闪耀光栅制造工艺请参阅文献[2],在石英基板上涂美国Shipley公司AZ1350胶的感光灵敏度峰值为260nm处,并随波长增长而感光灵敏度降低.现有氦镉激光器产生的441.6nm波长或氩离子激光器产生的457.9nm波长均可使用,但较理想的是325nm或更短的接近峰值波长.刻蚀装置采用冶金所自制的反应离子束刻蚀镀膜装置.选择合适的刻蚀工艺参数,在涂有浮雕光栅掩膜条纹的石英上进行反应离子束刻蚀,已刻蚀出国内第一批实用石英全息闪耀光栅,光栅面积为45×45mm^2,空间频率为1200l/mm.经测试:一级衍射效率为75%,一级波面象差λ/8,杂散光2.5×10^(-7),无鬼线,分辨率达理论值87%.所选择的刻蚀工艺稳定重复,成品率高.; 傅新定方红丽陈国明邹世昌; 关键词：闪耀光栅刻蚀

光盘光学拾音器技术的现状与发展: 1997年; 阐述了光盘的光学聚焦伺服、循迹伺服和光信息拾取原理，介绍了由分立元件、全息光学元件、光电混合集成和单片集成等所构成多种光学拾音器的结构。; 杨立新陈长清杨易陈学良沈德芳陈国明; 关键词：全息光学元件 CD LD VCD

含浸电极型液态金属离子源: 1989年; 一种含浸电极型液态金属离子源已经获得发展。该种离子源应用烧结多孔钨“尖端”。研究了能应用于含浸电极型液态金属离子源的各种低熔点合金,并成功地引出了Si、Ge和Sb离子,测定了基本离子源参数,如电流—电压特性、质谱分析和离子源引出束工作寿命。; 陈国明石川顺三高木俊宜; 关键词：离子源液态金属

倾斜度测量装置: 本发明是一种倾斜度测量装置，特别是一种倾斜度测量传感器及可补偿温度变化的测量电路。倾斜度测量传感器是由绝缘材料制成的、二个鼓面内壁有三个金属电极的鼓状容器，里面充有一半体积的导电液，该传感器的输出信号输入到测量电路运算放...; 戴仁慈李生强陈国明; 文献传递

光盘用集成型光学头: 沈德芳陈国明陈学良等8人; 该成果在国内首先对光盘用光学头的集成化技术进行了研究。对于波导型集成光学头，确定了在硅衬底上制备由二氧化硅层、玻璃波导层和氮化硅覆盖层构成的光波导的工艺，制备出了符合折射率要求的光波导。采用全息干涉光刻法和离子束刻蚀技术...; 关键词：; 关键词：光学头集成光学器件

反应离子束刻蚀母盘研究被引量：1: 1999年; 对反应离子束刻蚀母盘和玻璃衬底光盘的工艺进行了探讨，在该工艺中，光刻胶用于图形掩膜，ＣＦ４气体用于反应离子束刻蚀并将预刻槽转移到玻璃衬底上，预刻槽的形状和深度由刻蚀机的设置条件控制。ＳＥＭ照片表明，刻蚀在玻璃衬底上的预刻槽的道间距为１．６μｍ，槽深０．１μｍ，槽宽０．６μｍ，符合光盘预刻槽的基本标准，说明该工艺是微细加工母盘凹坑和预刻槽的较好办法。; 邹志强陈国明; 关键词：反应离子束刻蚀母盘

混合型集成光学拾音器的结构设计被引量：1: 2000年; 采用光学追踪法计算了圆锥光线入射到棱镜中的轨迹 ,并对计算结果进行了实验验证 ,实验结果与计算结果相一致。; 杨立新李东宏陈学良卢志红杨易沈德芳陈国明; 关键词：混合型

用高分辨率沟道背散射谱仪研究硅的低能氮离子氮化: 1990年; 用高分辨率沟道背散射技术研究了低能N离子注入单晶硅形成氮化硅的过程。测出了N和位移Si原子的深度分布。提出在N离子注入时同时存在着三个过程——注入、溅射和释放。由此建立了一个微分方程描写样品中剩余N的浓度变化,并讨论了氮化硅形成机制。; 朱德彰潘浩昌曹建清朱福英陈国明陈国樑杨絜邹世昌; 关键词：硅氮化离子注入

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陈国明