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高斐

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 6篇分子束
  • 6篇分子束外延
  • 5篇原位掺杂
  • 5篇晶体管
  • 5篇分子束外延生...
  • 5篇掺杂
  • 4篇异质结
  • 4篇异质结双极晶...
  • 4篇双极晶体管
  • 4篇GSMBE生...
  • 3篇晶体管材料
  • 3篇SIGE/S...
  • 2篇电路
  • 2篇原子团
  • 2篇锗硅
  • 2篇锗硅异质结双...
  • 2篇磷炉
  • 2篇磷烷
  • 2篇控制技术
  • 2篇高速电路

机构

  • 9篇中国科学院

作者

  • 9篇高斐
  • 8篇李建平
  • 8篇黄大定
  • 7篇孔梅影
  • 6篇孙殿照
  • 6篇朱世荣
  • 4篇刘超
  • 4篇林燕霞
  • 3篇刘金平
  • 3篇林兰英
  • 1篇李晋闽
  • 1篇李灵宵
  • 1篇曾一平
  • 1篇邹吕凡
  • 1篇刘学锋

传媒

  • 2篇第六届全国分...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇第七届全国固...
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 4篇2001
  • 2篇2000
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
高速电路用GeSi/Si外延材料
黄大定李建平孙殿照刘学锋刘金平林燕霞高斐邹吕凡朱世荣李灵宵孔梅影林兰英
该项目为SiGe/Si材料生长工艺及其掺杂控制技术，项目过程中生长出了高质量的n-p-n HBT所需要的Si/SiGe/Si构材料：Ge组分及n、p型掺杂均达到项目指标要求；能够严格控制n、p型掺杂区域，将基区的硼杂质限...
关键词：
关键词：HBT
用Si2H6-Ge分子束外延技术生长p-SiGe沟道的反常调制掺杂结构
采用气态Si<,2>H<,6>源和固态Ge源的国产分子束外延(MBE)系统生长了一个p-SiGe反常调制掺杂结构,变温Hall测量得出在室温下(290K)载流子(孔穴)的迁移率为113cm<'2>/Vs;在低温下(61K...
高斐黄大定李建平刘超孔梅影曾一平李晋闽林兰英
关键词：分子束外延迁移率
文献传递
GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术
本文将介绍采用气固源分子束外延工艺生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术,以获得理想掺杂分布的HBT材料的结果.
黄大定刘超李建平高斐孙殿照朱世荣孔梅影
关键词：分子束外延生长SIGE/SI原位掺杂控制技术半导体材料
文献传递
SiGe/Si异质结双极晶体管材料外延生长及性质研究
在该论文中,作者研究了异质结双极晶体管(HBT)用SiGe/Si材料的分子束外延生长、原位掺杂及应变驰豫机制.生长出了较高质量的n-Si/p-SiGe/n-Si异质结材料.用所生长的材料研制的HBT器件具有良好的性能.同...
高斐
关键词：分子束外延生长原位掺杂
气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法
一种气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法,其是用乙硼烷:磷烷为掺杂剂生长N－P－N双极晶体管材料时,将乙硼烷、磷烷加热使其裂解为低分子量的原子团束流,降低残余硼、磷杂质的本底浓度,并减少氢对硅生长速率的影响...
黄大定李建平高斐林燕霞孙殿照刘金平朱世荣孔梅影
文献传递
GSMBE生长SiGe HBT材料的原位掺杂
黄大定李建平林燕霞高斐
关键词：GSMBE生长晶体管材料原位掺杂
文献传递
高速电路用GSMBE生长SiGe/Si外延材料
本文简要介绍了用国产研究型GSMBE分子束外延设备生长高速电路用SiGe/Si异质结外延材料所取得的结果.
刘超黄大定李建平高斐孙殿照朱世荣孔梅影林兰英
关键词：分子束外延生长SIGE/SI原位掺杂半导体材料
文献传递
GSMBE生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术
2003年
在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制 ,建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长 Si Ge/Si材料的原位掺杂控制技术。采用该技术生长的 Si Ge/Si HBT外延材料 ,可将硼杂质较好地限制在 Si Ge合金基区内 ,并能有效地提高磷烷对 N型掺杂的浓度和外延硅层的生长速率 ,获得了理想 N、P型杂质分布的 Si Ge/Si
黄大定刘超李建平高斐孙殿照朱世荣孔梅影
关键词：GSMBE原位掺杂控制技术异质结双极晶体管
气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法
一种气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法，其是用乙硼烷∶磷烷为掺杂剂生长N-P-N双极晶体管材料时，将乙硼烷、磷烷加热使其裂解为低分子量的原子团束流，降低残余硼、磷杂质的本底浓度，并减少氢对硅生长速率的影响...
黄大定李建平高斐林燕霞孙殿照刘金平朱世荣孔梅影
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