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孙贤开

作品数：4 被引量：28H指数：2
供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇应力
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇发光
  • 2篇ZNO薄膜
  • 1篇氧化锌薄膜
  • 1篇英文
  • 1篇两步法
  • 1篇晶格
  • 1篇晶格失配
  • 1篇拉曼
  • 1篇拉曼光谱
  • 1篇基片
  • 1篇光谱
  • 1篇光致发光特性
  • 1篇硅基
  • 1篇硅基片
  • 1篇硅烷
  • 1篇发光机制
  • 1篇发光特性

机构

  • 4篇中国科学技术...

作者

  • 4篇傅竹西
  • 4篇孙贤开
  • 4篇林碧霞
  • 4篇朱俊杰
  • 1篇徐瑾
  • 1篇孟祥东
  • 1篇洪亮
  • 1篇郑海务
  • 1篇姚然
  • 1篇张杨

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 2篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
应力对ZnO/Si异质结构的光致发光的影响(英文)被引量：2
2006年
研究了ZnO薄膜中应力对发光的影响.实验样品为ZnO体单晶、在Si基片上直接生长的ZnO薄膜以及通过SiC过渡层在Si基片上生长的ZnO薄膜.测量了这三种样品的X射线衍射图形、喇曼光谱和光致发光光谱.由X射线衍射图形可以看出,由于SiC过渡层缓解了ZnO与Si之间的晶格失配,使得通过SiC过渡层在Si上生长的ZnO薄膜的结晶质量好于直接在Si上生长的ZnO薄膜的质量.进一步通过喇曼谱测量发现,与ZnO体单晶相比,直接在Si上生长的ZnO薄膜的E2(high)峰红移1.9cm-1,根据喇曼谱峰位移与应力的关系可以推出薄膜中存在0.4GPa的张应力;而通过SiC过渡层在Si上生长的ZnO薄膜的E2(high)峰红移0.9cm-1,对应着0.2GPa的张应力.对照X射线衍射图形的结果可以看出,薄膜中张应力的大小与薄膜的结晶质量密切相关,表明张应力来源于外延层和基片间的晶格失配,晶格失配越大,外延层中产生的张应力越大.有无SiC过渡层的两种薄膜样品的PL光谱中都存在紫外和绿光两种谱带,随样品热处理时氧气分压增加,两种样品都出现绿光增强的相似的变化规律,但有SiC过渡层的样品的变化幅度较小.这一结果说明,绿色发光中心与薄膜的质量,也就是与薄膜中存在的张应力大小有关.在以往研究中得出的非故意掺杂ZnO薄膜的绿色发光中心来源于氧反位缺陷(OZn),文中研究的结果正好可以解释氧反位缺陷形成的原因.由于薄膜中存在张应力,使得样品的能量升高,其结果必然会产生缺陷来释放张应力,以便降低系统能量.而氧离子半径大于锌离子半径,氧替位锌有利于释放张应力,也就是说,在存在张应力的情况下,OZn的形成能降低.这一结果进一步证明Si上生长的ZnO薄膜中的绿色发光中心与氧反位缺陷有关.
傅竹西孙贤开朱俊杰林碧霞
关键词：光致发光晶格失配
LP-MOCVD异质外延ZnO薄膜中的应力及对缺陷的影响被引量：19
2005年
利用低压金属有机化学气相淀积(LP MOCVD)在Si基片上外延生长ZnO薄膜,制备了两类样品一类是在Si上直接外延ZnO,另一类是在Si上通过SiC过渡层来外延ZnO.根据两类样品的拉曼光谱、x射线衍射、原子力显微图和光致发光的结果,表明ZnO外延薄膜中的张应力对薄膜的结晶状况有着重要的影响,使用SiC过渡层能够有效缓解ZnO薄膜中的张应力,减小缺陷浓度,提高ZnO外延层的质量;然后根据缺陷的形成机制进一步提出,对于ZnO Si,其中较大的张应力导致了高浓度的非辐射复合缺陷的形成,使得样品的紫外和绿峰的发射强度均大大降低;对于ZnO SiC Si,其中较小的张应力导致ZnO薄膜中主要形成氧替位缺陷OZn,从而使发光中的绿峰增强.
孙贤开林碧霞朱俊杰张杨傅竹西
关键词：氧化锌薄膜拉曼光谱
CVD两步法生长ZnO薄膜及其光致发光特性被引量：6
2006年
用CVD两步法在常压下于p型Si（100）衬底上沉积出具有较好择优取向的多晶ZnO薄膜。在325nm波长的光激发下，室温下可观察到显著的紫外光发射（峰值波长381nm）。高温退火后氧空位缺陷浓度增加，出现了一个450—600nm的绿光发光带，发光峰值在510nm。作为比较，用一步法生长的ZnO薄膜结晶质量稍差。在其PL谱中不仅有峰值波长389nm的紫外发射而且还出现了一个很强的蓝光发光中心（峰值波长437nm），退火后同样产生绿光发光带。对这两种绿光发光带的发光机制进行了研究，认为前者源于VO，而后者与OZn有密切的关系。
孟祥东林碧霞洪亮朱俊杰孙贤开徐瑾傅竹西
关键词：ZNO薄膜光致发光发光机制
硅基片上异质外延SiC的机理研究(英文)被引量：1
2004年
本文利用低压高温MOCVD系统 ,成功地在Si(111)基片上外延出了具有高质量的SiC薄膜 ,并对其反应机理做了一些初步的研究。大部分观点认为 ,SiC/Si的异质外延 ,其最初的状态应该为Si衬底中Si的扩散。但是 ,本文通过在不同流量比的条件下 ,SiC薄膜在Si基片以及Al2 O3 基片上外延的比较 ,发现在SiC/Si的异质外延过程中起重大作用的并非Si衬底中Si的扩散 ,而是很大程度上作用于C向Si衬底的扩散。同时 ,还发现反应速率的快慢受SiH4流量所限制。当SiH4流量增加时 ,反应速率会明显加快 ,但是结晶质量会相对变差。
朱俊杰林碧霞孙贤开郑海务姚然傅竹西
关键词：硅基片SIC薄膜SI(111)衬底SIH4硅烷
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