张曌
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 供职机构：南京大学电子科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- MOCVD生长温度对InGaN薄膜性质的影响
- 本文使用有机金属化学气相沉积(MOCVD)技术生长在蓝宝石(α-A1_2O_3)衬底上的未掺杂六方In_xGa_(1-x)N/GaN双层薄膜,其生长温度在780℃至830℃之间递变。In_xGa_(1-x)N外延层生长在...
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- 紫外波段SiO_2/Si_3N_4介质膜分布式布拉格反射镜的制备与研究被引量：3
- 2012年
- 采用光学传递矩阵方法设计了紫外波段SiO_2/Si_3N_4介质膜分布式布拉格反射镜,并利用等离子体增强化学气相沉积技术在蓝宝石(0001)衬底上制备了SiO_2/Si_3N_4介质膜分布式布拉格反射镜.光反射测试表明,样品反射谱的峰值波长仅与理论模拟谱线相差10 nm,并随着反射镜周期数的增加而蓝移.由于SiO_2与Si_3N_4具有相对较大的折射率比,因而制备的周期数为13的样品反射谱的峰值反射率就已大于99%.样品反射谱的中心波长为333 nm,谱峰的半高宽为58 nm.样品截面的扫描电子显微镜和表面的原子力显微镜测量结果表明,样品反射谱的中心波长蓝移是由子层的层厚和界面粗糙度的变化引起的.X射线反射谱表明,子层界面过渡层对于反射率的影响较小,并且SiO_2膜的质量比Si_3N_4差,也是造成反射率低于理论值的原因之一.
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- InGaN/GaN薄膜的阴极荧光研究被引量：1
- 2011年
- 利用高性能阴极荧光(CL)联合分析系统结合场发射扫描电镜对使用MOCVD方法在蓝宝石衬底上实现的不同生长温度条件下InGaN/GaN薄膜材料进行测试分析。利用CL紫外可见光谱系统,对(0001)面蓝宝石衬底上生长的InGaN/GaN薄膜进行阴极荧光单色谱测试分析,揭示了CL的发光波长与In成分变化之间的关系,即随着薄膜中In含量的降低CL谱峰值波长随之产生蓝移。为了进一步研究InGaN薄膜材料的发光机制及薄膜中出现的V坑,对InGaN/GaN薄膜材料进行了同一位置的SEM图像和CL Mapping的对比分析,探讨了缺陷与发光的关系。认定了薄膜中出现的大尺寸V坑对InGaN薄膜材料的发光没有帮助;小尺寸V坑被认定为热腐蚀坑,也对薄膜发光没有贡献。结合SEM图像和CL Mapping初步确认了部分In富集区域。同时研究了InGaN/GaN薄膜表面形貌的平坦区域与沟壑区域造成的发光波动。
- 张曌陶涛刘炼谢自力刘斌张荣
