李伟东
- 作品数：6 被引量：4H指数：2
- 供职机构：青岛科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金科技型中小企业技术创新基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学化学工程更多>>
- 甲烷通气速率/通气量对大量合成SiC一维纳米材料的影响规律
- 2013年
- 采用化学气相反应法(CVR),以球磨后的Si粉、SiO2粉及CH4气体为原料,镍为催化剂,在1 250℃下成功制备出大量SiC一维纳米材料。着重研究了甲烷通气速率/通气量对产物宏观产量、微观形貌的影响规律。采用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)等多种测试手段对所得产物进行了表征。结果表明:随CH4通气速率/通气量的减少,产物宏观颜色由深蓝色转变成灰白色,纳米线直径变得不均匀,纳米线的堆积密度逐渐增大。在通气速率为0.054L·min-1、通气时间36min、通气量1.4L优选工艺条件下,所制备的一维纳米材料为带有少许非晶SiO2包覆层的立方结构的β-SiC。
- 齐学礼李镇江李伟东孙莎莎
- 关键词：微观形貌
- 一种La原位掺杂一维纳米SiC场发射材料的制备方法
- 本发明涉及一种La原位掺杂一维纳米SiC场发射材料的制备方法，包括：以聚碳硅烷和氯化镧为反应原料，硝酸镍为催化剂；将混合研磨后的反应原料和浸有催化剂的石墨基片置于石墨反应室中，放入真空气氛炉内；通Ar气，抽真空至50～8...
- 李镇江宋冠英段振亚李伟东孟阿兰
- 文献传递
- La、Ce掺杂SiC一维纳米材料的制备及场发射性能研究
- 本文利用化学气相反应法，以Si和SiO2混合粉体为硅源，分别以CH4、石墨粉、活性炭为碳源，以La、Ce化合物为稀土源，制备得到高质量的La、Ce掺杂的SiC纳米线;以聚碳硅烷和LaCl3混合粉体为原料，制备出La掺杂的...
- 李伟东
- 关键词：碳化硅纳米线化学气相反应法金属掺杂场发射性能形貌表征
- 文献传递
- N掺杂SiC纳米线的制备、场发射性能及第一性原理计算被引量：2
- 2013年
- 利用简单的化学气相沉积法,首次以固态三聚氰胺(C3H6N6)为N掺杂剂,与Si/SiO2粉体混合,在1 250℃下保温25min,制备出N掺杂SiC纳米线。采用XRD、SEM、元素分析等测试手段对产物的物相和微观形貌进行了表征,并对其场发射性能进行了研究,采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理对N掺杂前后SiC纳米线的电子结构进行了计算。结果表明:掺N后的纳米线弯曲程度明显变大,场发射性能显著提高,开启电场值和阈值电场值由原来的3.5V.μm-1和6.6V.μm-1分别降低为2.6V.μm-1和5.5V.μm-1。此外,第一性原理计算表明,掺N后的纳米线禁带宽度明显变窄,使电子从价带向导带过渡时需要更少的能量,从理论上解释了N掺杂SiC纳米线场发射性能增强的原因。
- 孙莎莎李镇江李伟东齐学礼
- 关键词：SIC纳米线场发射第一性原理密度泛函理论
- 合成温度对Ce掺杂SiC纳米线的制备及场发射性能的影响研究被引量：3
- 2013年
- 本文利用化学气相反应(CVR)法,系统研究了不同温度对Ce掺杂的SiC纳米线及其场发射性能的影响规律.利用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)、X射线衍射(XRD)对所得产物进行了表征,并对其场发射性能进行了测试.结果表明:所得产物为具有立方结构的β-SiC晶体,随着温度的升高,纳米线逐渐变的弯曲,Ce的含量降低,产物的开启电场和阈值电场先升高后降低.当合成温度为1250C,Ce的含量为0.27at%,产物的场发射性能最佳,开启电场和阈值电场分别为2.5V/μm和5.2V/μm.
- 李镇江李伟东
- 关键词：合成温度SIC纳米线场发射性能
- 一种La原位掺杂一维纳米SiC场发射材料的制备方法
- 本发明涉及一种La原位掺杂一维纳米SiC场发射材料的制备方法，包括：以聚碳硅烷和氯化镧为反应原料，硝酸镍为催化剂；将混合研磨后的反应原料和浸有催化剂的石墨基片置于石墨反应室中，放入真空气氛炉内；通Ar气，抽真空至50～8...
- 李镇江宋冠英段振亚李伟东孟阿兰
- 文献传递
