齐学礼
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：青岛科技大学机电工程学院更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金国家自然科学基金科技型中小企业技术创新基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电气工程化学工程更多>>
- N掺杂SiC纳米线的制备、场发射性能及第一性原理计算被引量：2
- 2013年
- 利用简单的化学气相沉积法,首次以固态三聚氰胺(C3H6N6)为N掺杂剂,与Si/SiO2粉体混合,在1 250℃下保温25min,制备出N掺杂SiC纳米线。采用XRD、SEM、元素分析等测试手段对产物的物相和微观形貌进行了表征,并对其场发射性能进行了研究,采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理对N掺杂前后SiC纳米线的电子结构进行了计算。结果表明:掺N后的纳米线弯曲程度明显变大,场发射性能显著提高,开启电场值和阈值电场值由原来的3.5V.μm-1和6.6V.μm-1分别降低为2.6V.μm-1和5.5V.μm-1。此外,第一性原理计算表明,掺N后的纳米线禁带宽度明显变窄,使电子从价带向导带过渡时需要更少的能量,从理论上解释了N掺杂SiC纳米线场发射性能增强的原因。
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- 关键词：SIC纳米线场发射第一性原理密度泛函理论
- 甲烷通气速率/通气量对大量合成SiC一维纳米材料的影响规律
- 2013年
- 采用化学气相反应法(CVR),以球磨后的Si粉、SiO2粉及CH4气体为原料,镍为催化剂,在1 250℃下成功制备出大量SiC一维纳米材料。着重研究了甲烷通气速率/通气量对产物宏观产量、微观形貌的影响规律。采用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)等多种测试手段对所得产物进行了表征。结果表明:随CH4通气速率/通气量的减少,产物宏观颜色由深蓝色转变成灰白色,纳米线直径变得不均匀,纳米线的堆积密度逐渐增大。在通气速率为0.054L·min-1、通气时间36min、通气量1.4L优选工艺条件下,所制备的一维纳米材料为带有少许非晶SiO2包覆层的立方结构的β-SiC。
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- 关键词：微观形貌
- SiC/SiO2同轴纳米电缆量产化制备工艺研究
- 本文基于自制三室连续生产式真空可控气氛炉，以大量合成高质量SiC/SiO2同轴纳米电缆为目标，以工业化生产和应用为追求，结合产物产量、宏观和微观形貌及物相结构，系统研究了各工艺参数的影响规律，不断的优化制备工艺，并对产物...
- 齐学礼
- 文献传递
