孙莎莎
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：青岛科技大学更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金国家自然科学基金科技型中小企业技术创新基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学化学工程更多>>
- 甲烷通气速率/通气量对大量合成SiC一维纳米材料的影响规律
- 2013年
- 采用化学气相反应法(CVR),以球磨后的Si粉、SiO2粉及CH4气体为原料,镍为催化剂,在1 250℃下成功制备出大量SiC一维纳米材料。着重研究了甲烷通气速率/通气量对产物宏观产量、微观形貌的影响规律。采用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)等多种测试手段对所得产物进行了表征。结果表明:随CH4通气速率/通气量的减少,产物宏观颜色由深蓝色转变成灰白色,纳米线直径变得不均匀,纳米线的堆积密度逐渐增大。在通气速率为0.054L·min-1、通气时间36min、通气量1.4L优选工艺条件下,所制备的一维纳米材料为带有少许非晶SiO2包覆层的立方结构的β-SiC。
- 齐学礼李镇江李伟东孙莎莎
- 关键词：微观形貌
- N掺杂SiC一维纳米材料的制备、场发射性能及第一性原理计算
- 本文主要研究了利用不同的C源和N掺杂剂，采用化学气相反应法制备了高质量的N掺杂SiC一维纳米材料，并探索了聚合物直接裂解法制备SiC/SiO2同轴纳米电缆及N掺杂SiC/SiO2同轴纳米电缆，并对不同工艺条件下所得产物的...
- 孙莎莎
- 关键词：第一性原理场发射性能
- 文献传递
- 一种裂解聚碳硅烷制备β-SiC/SiO<Sub>2</Sub>同轴纳米电缆的方法
- 本发明涉及一种β-SiC/SiO<Sub>2</Sub>同轴纳米电缆的制备方法。该方法以聚碳硅烷为单一原料，以硝酸镍乙醇溶液为催化剂，将聚碳硅烷粉体放在浸有催化剂的石墨基片上，并用碳布将其隔开，置于反应室内。随后将反应室...
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- 文献传递
- N掺杂SiC纳米线的制备、场发射性能及第一性原理计算被引量：2
- 2013年
- 利用简单的化学气相沉积法,首次以固态三聚氰胺(C3H6N6)为N掺杂剂,与Si/SiO2粉体混合,在1 250℃下保温25min,制备出N掺杂SiC纳米线。采用XRD、SEM、元素分析等测试手段对产物的物相和微观形貌进行了表征,并对其场发射性能进行了研究,采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理对N掺杂前后SiC纳米线的电子结构进行了计算。结果表明:掺N后的纳米线弯曲程度明显变大,场发射性能显著提高,开启电场值和阈值电场值由原来的3.5V.μm-1和6.6V.μm-1分别降低为2.6V.μm-1和5.5V.μm-1。此外,第一性原理计算表明,掺N后的纳米线禁带宽度明显变窄,使电子从价带向导带过渡时需要更少的能量,从理论上解释了N掺杂SiC纳米线场发射性能增强的原因。
- 孙莎莎李镇江李伟东齐学礼
- 关键词：SIC纳米线场发射第一性原理密度泛函理论
