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李志华
作品数:
2
被引量:3
H指数:1
供职机构:
中国科学院物理研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
理学
电子电信
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合作作者
高汉超
中国科学院物理研究所
蒋中伟
中国科学院物理研究所
刘林生
中国科学院物理研究所
周均铭
中国科学院物理研究所
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李志华
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物理学报
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1篇
2007
1篇
2006
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InAs/AlSb HEMT材料生长及物性研究
用分子束外延方法生长了InAs/AISb HEMT结构,并运用霍尔测量、X射线衍射,原子力显微镜等测量手段对材料进行了物理性质的研究。主要研究内容和结果如下: 1.在GaAs(100)衬底上大失配外延生长了AlSb...
李志华
关键词:
分子束外延
界面粗糙度
物理性质
As保护下的生长中断时间对AlSb/InAs超晶格界面粗糙度的影响
被引量:3
2007年
用分子束外延设备(MBE)在GaAs(100)衬底上生长了InSb型界面的AlSb/InAs超晶格,界面生长过程中采用了As保护下不同的中断时间.运用掠入射X射线反射技术(GIXRR)对样品进行了测量,并对测量结果进行了模拟和分析,发现As保护下生长中断20s能获得最平整的AlSb/InAs界面.结合分析显微镜下观察到的样品形貌,过短的界面中断时间会导致界面富In并形成In点,而过长的中断时间会导致AlAs型界面的形成,两者都使界面变得粗糙.另外,还讨论了生长中断在分子束外延生长中的应用.
李志华
王文新
刘林生
蒋中伟
高汉超
周均铭
关键词:
分子束外延
超晶格
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