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李静

作品数：3 被引量：7H指数：2
供职机构：电子部更多>>
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合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇砷化镓
  • 1篇自动测量
  • 1篇自动测量系统
  • 1篇吸收光谱
  • 1篇光度
  • 1篇光谱
  • 1篇红外
  • 1篇红外吸收
  • 1篇红外吸收光谱
  • 1篇分光
  • 1篇分光光度计
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇半绝缘
  • 1篇半绝缘砷化镓
  • 1篇薄片
  • 1篇测量系统
  • 1篇FT

机构

  • 3篇电子部

作者

  • 3篇汝琼娜
  • 3篇李光平
  • 3篇李静
  • 2篇何秀坤

传媒

  • 2篇半导体情报
  • 1篇现代仪器使用...

年份

  • 1篇1999
  • 1篇1996
  • 1篇1994
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
半绝缘砷化镓中EL2浓度的自动测量系统被引量：1
1999年
本文介绍了使用通用计算机外部控制 PE Lambda-9分光光度计,设计完成了数据处理工作站,利用此工作站形成了一套半绝缘砷化镓中EL2浓度微区分布的自动测量系统。
李光平李静汝琼娜何秀坤
关键词：半绝缘砷化镓自动测量系统分光光度计
FT─IR技术在半导体材料中的应用被引量：2
1994年
介绍了ＦＴ－ＩＲ测量技术在半导体材料中的应用。对Ｓｉ、ＧａＡｓ等材料的试样制备、杂质缺陷的测量及光谱研究进行了全面报道。大量实验结果表明，该技术是研究半导体材料结构、成分、杂质和缺陷特性的有效方法。
李光平汝琼娜何秀坤李静
关键词：半导体材料红外吸收光谱
英国要推进GaAs技术被引量：4
1996年
英国要推进ＧａＡｓ技术伦敦Ｍｉｄｄｌｅｓｅｘ大学的微电子中心主任ＥｂｒａｈｉｍＢｕｓｈｅｈｒｉ说他认为英国还没全力发展ＧａＡｓ技术。＂欧洲在高速ＧａＡｓ数字电路及其设计理论上比英国更重视，投资更多。他的中心正与ＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＰｈｙｓｉｃｓ的Ｆｒ...
李光平李静汝琼娜
关键词：薄片砷化镓
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共1页<1>
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