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何秀坤

作品数：4 被引量：3H指数：1
供职机构：电子部更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇红外
  • 2篇红外吸收
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体材料
  • 2篇FT
  • 1篇砷化镓
  • 1篇自动测量
  • 1篇自动测量系统
  • 1篇吸收光谱
  • 1篇光度
  • 1篇光谱
  • 1篇红外吸收光谱
  • 1篇分光
  • 1篇分光光度计
  • 1篇半绝缘
  • 1篇半绝缘砷化镓
  • 1篇测量系统

机构

  • 3篇电子部
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 4篇李光平
  • 4篇何秀坤
  • 3篇汝琼娜
  • 2篇李静

传媒

  • 1篇半导体情报
  • 1篇半导体杂志
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇现代仪器使用...

年份

  • 1篇1999
  • 2篇1994
  • 1篇1990
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
近代低温FT—R技术及其在半导体分析中的应用
1990年
李光平何秀坤等
半绝缘砷化镓中EL2浓度的自动测量系统被引量：1
1999年
本文介绍了使用通用计算机外部控制 PE Lambda-9分光光度计,设计完成了数据处理工作站,利用此工作站形成了一套半绝缘砷化镓中EL2浓度微区分布的自动测量系统。
李光平李静汝琼娜何秀坤
关键词：半绝缘砷化镓自动测量系统分光光度计
FT─IR技术在半导体材料中的应用被引量：2
1994年
介绍了ＦＴ－ＩＲ测量技术在半导体材料中的应用。对Ｓｉ、ＧａＡｓ等材料的试样制备、杂质缺陷的测量及光谱研究进行了全面报道。大量实验结果表明，该技术是研究半导体材料结构、成分、杂质和缺陷特性的有效方法。
李光平汝琼娜何秀坤李静
关键词：半导体材料红外吸收光谱
红外吸收微区测量技术在半导体材料中的应用
1994年
本文采用微孔遮挡近红外吸收法，对厚度为０．５ｍｍ左右薄片半绝缘（ＳＩ）－ＧａＡｓ中深施主ＥＬ＿２进行了直接测量，使用微机控制自动测量系统对ＳＩ－ＧａＡｓ晶片中的ＥＬ＿２浓度进行了微区分布测量，利用显微傅里叶变换红外光谱测量技术对硅外延层厚度，硅中间隙氧、替位砍含量，硼、磷、硅玻璃中的硼磷含量及薄片ＳＩ－ＧａＡＳ中替位碳含量进行了ＦＴ－ＩＲ显微测量。实验结果为研究半导体材料的微区特性和均匀性提供了可靠的依据。
汝琼娜李光平何秀坤
关键词：红外吸收半导体材料
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