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罗伊虹
作品数:
1
被引量:0
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供职机构:
西北核技术研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
理学
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合作作者
靳涛
中国科学院新疆理化技术研究所
杨祖慎
新疆大学物理系
杨志安
新疆大学物理系
姚育娟
西北核技术研究所
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姚育娟
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杨志安
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罗伊虹
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靳涛
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年份
1篇
2005
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PMOS场效应晶体管脉冲X射线辐照效应
2005年
根据 P 沟道金属氧化物场效应晶体管 (PMOSFET) 在低能脉冲 X 射线辐照下的实验结果、结合PMOSFET 实验样品的结构分析了阈电压漂移产生的机理。
靳涛
杨志安
杨祖慎
姚育娟
罗伊虹
关键词:
场效应晶体管
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