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罗伊虹

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：西北核技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇晶体管
  • 1篇辐照效应
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管

机构

  • 1篇西北核技术研...
  • 1篇新疆大学
  • 1篇中国科学院新...

作者

  • 1篇姚育娟
  • 1篇杨志安
  • 1篇杨祖慎
  • 1篇罗伊虹
  • 1篇靳涛

传媒

  • 1篇核技术

年份

  • 1篇2005
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
PMOS场效应晶体管脉冲X射线辐照效应
2005年
根据 P 沟道金属氧化物场效应晶体管 (PMOSFET) 在低能脉冲 X 射线辐照下的实验结果、结合PMOSFET 实验样品的结构分析了阈电压漂移产生的机理。
靳涛杨志安杨祖慎姚育娟罗伊虹
关键词：场效应晶体管
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共1页<1>
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