姚育娟
- 作品数：16 被引量：68H指数：5
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- NMOS晶体管的退火特性研究被引量：1
- 2000年
- 探讨了加固型CC4 0 0 7经60 Coγ射线辐照后NMOS晶体管的退火特性 ,研究了辐照敏感参数随辐照剂量、退火温度、退火时间和退火偏置的变化关系。经相同总剂量辐照的器件 ,高温 10 0℃下的退火速度远大于室温 2 5℃下的退火速度。 2 5～ 2 50℃下的等时退火 ,其退火程度接近 168h的 10 0℃等温退火。对不同的退火情况 ,退火偏置的作用是相似的 ,+5V栅偏压退火速度大于0V栅偏压和浮空退火速度。对氧化物陷阱电荷的退火及界面态陷阱的产生机理进行了分析 ,并对加速实验方法进行了初步探讨。
- 姚育娟张正选彭宏论何宝平姜景和
- 关键词：等温退火NMOS晶体管电离辐照
- 大规模集成电路总剂量效应测试方法初探被引量：27
- 2004年
- 提出了初步的大规模集成电路总剂量效应测试方法。在监测器件和电路功能参数的同时 ,监测器件功耗电流的变化情况 ,分析数据错误与器件功耗电流变化的关系及其总剂量效应机理。给出了大规模集成电路 :静态随机存取存储器 (SRAM)、电擦除电编程只读存储器 (EEPROM)、闪速存储器 (FLASHROM)和微处理器 (CPU)的6 0 Coγ总剂量效应实验的结果 .
- 贺朝会耿斌何宝平姚育娟李永宏彭宏论林东生周辉陈雨生
- 关键词：大规模集成电路半导体器件总剂量效应功耗电流静态随机存取存储器闪速存储器
- 温度和剂量率对NMOS器件迁移率的影响
- 2000年
- 对加固型 CC40 0 7NMOS器件进行了低温 ( - 30°C)和室温 ( 2 5°C) γ射线辐射实验、不同剂量率下的γ辐射实验以及不同温度下的退火实验。根据实验结果 ,利用归一化迁移率与界面态电荷的机理模型 ,分析了辐射环境温度、辐射剂量率以及退火温度对 NMOS器件迁移率的影响。
- 何宝平姚育娟彭宏论张正选姜景和
- 关键词：半导体器件NMOS迁移率温度剂量率
- 大规模集成电路总剂量效应测试方法初探
- 提出了初步的大规模集成电路总剂量效应测试方法.在监测器件和电路功能参数的同时,监测器件功耗电流的变化情况,分析数据错误与器件功耗电流变化的关系及其总剂量效应机理.给出了大规模集成电路:静态随机存取存储器(SRAM)、电擦...
- 贺朝会耿斌姚育娟何宝平李永宏彭宏论林东生周辉陈雨生
- 关键词：存储器微处理器总剂量效应大规模集成电路
- 文献传递
- 参数设计对NMOSFET加固性能改进的理论模拟
- 对具有侧向寄生晶体管的NMOSFET进行二维数值模拟,探讨了掺杂浓度、辐照偏压以及鸟嘴形状三个关键参数对于器件抗总剂量辐射加固性能的影响.分析得出,增加鸟嘴和场氧区下的掺杂浓度,降低辐照栅电压,以及减少鸟嘴斜率都有助于降...
- 罗尹虹张正选姜景和姚育娟何宝平王桂珍彭宏论
- 关键词：抗辐射加固
- 文献传递
- 低剂量率下MOS器件的辐照效应被引量：7
- 2002年
- 对 MOS器件在低剂量率 γ射线辐射条件下的偏置效应进行了研究。对不同偏置及退火条件下 MOS器件辐照后的阈值电压漂移进行了对比。结果表明 ,偏置在 MOS器件栅氧化层内产生电场 ,增强了辐照产生电子 -空穴对的分离 ,同时 ,影响了正电荷 (包括空穴和氢离子 )的运动状态 ;此外 ,偏置对退火同样有促进作用。
- 刘传洋张廷庆刘家璐王剑屏黄智徐娜军何宝平彭宏论姚育娟王宝成
- 关键词：MOS器件辐照效应阈值电压漂移低剂量率
- CMOS器件的x光总剂量效应被引量：2
- 2000年
- 主要介绍了塑料封装和柯伐盖封装的 CMOS器件 ,在不同情况的 x射线辐照下 ,其辐照敏感参数阈值电压随总剂量的变化关系。将 x射线辐照的结果与 60 Co辐照的结果比较得出 ,x射线辐照对器件损伤严重。同时 ,探讨了柯伐盖封装器件的剂量增强效应。
- 姚育娟龚建成何宝平彭宏论杨海帆周辉张正选郭红霞
- 关键词：X射线总剂量CMOS器件塑料封装
- PMOS场效应晶体管脉冲X射线辐照效应
- 2005年
- 根据 P 沟道金属氧化物场效应晶体管 (PMOSFET) 在低能脉冲 X 射线辐照下的实验结果、结合PMOSFET 实验样品的结构分析了阈电压漂移产生的机理。
- 靳涛杨志安杨祖慎姚育娟罗伊虹
- 关键词：场效应晶体管
- MOS晶体管中辐照引起的陷阱正电荷的强压退火被引量：2
- 2000年
- 电离辐射在 MOS结构的 Si O2 层中建立正陷阱电荷 ,这些正陷阱电荷在正强栅偏压( + 2 0 V)下迅速减少 ,这是由于正栅压引起硅衬底中的电子向 Si O2 层隧道注入 ,从而与陷阱正电荷复合 .正栅压退火不仅对 N沟 MOS结构非常有效 ,对 P沟 MOS结构也有一定的影响 .给出了辐照后的 NMOS和 PMOS晶体管在强正栅压下退火的实验结果 ,阐明了正栅压下的“隧道退火”机理 .
- 姚育娟张正选姜景和何宝平罗尹虹
- 关键词：辐照MOS晶体管
- 金属-氧化物-半导体器件γ辐照温度效应被引量：13
- 2000年
- 研究了金属 氧化物 半导体 (MOS)器件在γ射线辐照条件下的温度效应 .采用加固的CC40 0 7进行辐照实验 ,在不同温度、不同偏压 ,以及不同退火条件下对MOS器件的辐照效应进行了比较 ,发现温度对辐照效应的影响主要是决定界面态建立的快慢 .高温下辐照的器件 ,界面态建立的时间缩短 .根据实验结果对器件阈值电压漂移的机理进行了探讨 .
- 王剑屏徐娜军张廷庆汤华莲刘家璐刘传洋姚育娟彭宏论何宝平张正选
- 关键词：Γ辐照温度效应
