彭宏论
- 作品数：23 被引量：102H指数：7
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学核科学技术医药卫生更多>>
- 浮栅ROM器件γ辐射效应实验研究被引量：11
- 2002年
- 给出了浮栅 ROM器件的γ辐照效应实验结果。器件出现错误有个累积剂量阈值 ,当累积剂量小于某一值时 ,无数据错误。当累积剂量达到一定值时 ,开始出现数据错误。随着累积剂量的增加 ,错误数增加 ,动态监测和静态加电的器件都出现数据错误 ,且不能用编程器重新写入数据。然而不加电的器件在更高的累积剂量辐照下未出现错误 ,而且可以用编程器重新写入数据。
- 贺朝会耿斌陈晓华王燕萍彭宏论
- 关键词：总剂量效应钴60只读存储器
- NMOS晶体管的退火特性研究被引量：1
- 2000年
- 探讨了加固型CC4 0 0 7经60 Coγ射线辐照后NMOS晶体管的退火特性 ,研究了辐照敏感参数随辐照剂量、退火温度、退火时间和退火偏置的变化关系。经相同总剂量辐照的器件 ,高温 10 0℃下的退火速度远大于室温 2 5℃下的退火速度。 2 5～ 2 50℃下的等时退火 ,其退火程度接近 168h的 10 0℃等温退火。对不同的退火情况 ,退火偏置的作用是相似的 ,+5V栅偏压退火速度大于0V栅偏压和浮空退火速度。对氧化物陷阱电荷的退火及界面态陷阱的产生机理进行了分析 ,并对加速实验方法进行了初步探讨。
- 姚育娟张正选彭宏论何宝平姜景和
- 关键词：等温退火NMOS晶体管电离辐照
- 双极晶体管不同脉宽γ剂量率效应研究被引量：7
- 2000年
- 介绍了晶体管在脉冲γ辐射源辐照下光电流的产生机理、测量方法，以及二次光电流与晶体管结构、γ剂量率和γ波形宽度的关系。在现有的实验条件下（四种γ脉冲辐射源，宽度分别为：～２ｎｓ，～２０ｎｓ，～６０ｎｓ，～１００ｎｓ，剂量率为１０５～１０６Ｇｙ／ｓ），对三种晶体管进行了辐照，对其等效关系进行了分析，得到了二次光电流与总剂量基本成线性关系的结论。
- 王桂珍姜景和彭宏论常东梅郭红霞杨海帆
- 关键词：双极晶体管
- 热释光剂量计能量响应特性研究
- 使用蒙特卡罗方法,计算出不同封装材料与剂量片组合成的剂量计对100keV以上γ射线的能量响应规律,从中选择出能量响应较平的一种组合。在几种能量下进行剂量计能量响应实验。在0.1-1.25MeV的能量范围内,其能量响应因子...
- 常冬梅彭宏论林东生龚建成韩福斌杨善潮关颖
- 关键词：蒙特卡罗方法剂量计Γ射线
- 温度和剂量率对NMOS器件迁移率的影响
- 2000年
- 对加固型 CC40 0 7NMOS器件进行了低温 ( - 30°C)和室温 ( 2 5°C) γ射线辐射实验、不同剂量率下的γ辐射实验以及不同温度下的退火实验。根据实验结果 ,利用归一化迁移率与界面态电荷的机理模型 ,分析了辐射环境温度、辐射剂量率以及退火温度对 NMOS器件迁移率的影响。
- 何宝平姚育娟彭宏论张正选姜景和
- 关键词：半导体器件NMOS迁移率温度剂量率
- DPF脉冲X射线能谱测量被引量：4
- 2000年
- 采用滤光法对ＤＰＦ脉冲Ｘ射线源装置的Ｘ射线能谱进行了测量，取得了较好的结果，为辐射效应环境测量提供了一种手段。
- 郭红霞龚建成何宝平林东生王文生彭宏论常冬梅杨海帆王永强罗尹虹
- 关键词：DPF辐照效应
- 大规模集成电路总剂量效应测试方法初探
- 提出了初步的大规模集成电路总剂量效应测试方法.在监测器件和电路功能参数的同时,监测器件功耗电流的变化情况,分析数据错误与器件功耗电流变化的关系及其总剂量效应机理.给出了大规模集成电路:静态随机存取存储器(SRAM)、电擦...
- 贺朝会耿斌姚育娟何宝平李永宏彭宏论林东生周辉陈雨生
- 关键词：存储器微处理器总剂量效应大规模集成电路
- 文献传递
- 低剂量率下MOS器件的辐照效应被引量：7
- 2002年
- 对 MOS器件在低剂量率 γ射线辐射条件下的偏置效应进行了研究。对不同偏置及退火条件下 MOS器件辐照后的阈值电压漂移进行了对比。结果表明 ,偏置在 MOS器件栅氧化层内产生电场 ,增强了辐照产生电子 -空穴对的分离 ,同时 ,影响了正电荷 (包括空穴和氢离子 )的运动状态 ;此外 ,偏置对退火同样有促进作用。
- 刘传洋张廷庆刘家璐王剑屏黄智徐娜军何宝平彭宏论姚育娟王宝成
- 关键词：MOS器件辐照效应阈值电压漂移低剂量率
- CMOS器件的x光总剂量效应被引量：2
- 2000年
- 主要介绍了塑料封装和柯伐盖封装的 CMOS器件 ,在不同情况的 x射线辐照下 ,其辐照敏感参数阈值电压随总剂量的变化关系。将 x射线辐照的结果与 60 Co辐照的结果比较得出 ,x射线辐照对器件损伤严重。同时 ,探讨了柯伐盖封装器件的剂量增强效应。
- 姚育娟龚建成何宝平彭宏论杨海帆周辉张正选郭红霞
- 关键词：X射线总剂量CMOS器件塑料封装
- 重离子单粒子翻转截面与γ累积剂量的关系研究被引量：2
- 2002年
- 应用 2 52 Cf源和60 Coγ源进行单粒子翻转截面与γ累积剂量的关系研究 ,实验结果表明 ,静态加电和不加电状态下 ,γ累积剂量对单粒子翻转截面的影响不大 ,无明显的规律。动态测量状态下 ,在存储单元中写入相同数据时 ,器件的单粒子翻转截面随累积剂量的增加而增大。在实验中把存储单元中的数据相反 ,会使器件的单粒子翻转截面恢复到未经 60 Coγ源辐照时的水平 ,甚至更低 。
- 贺朝会耿斌王燕萍彭宏论杨海亮陈晓华李国政
- 关键词：重离子Γ辐照半导体器件钴60单粒子效应
