姜景和
- 作品数：31 被引量：71H指数：6
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学航空宇航科学技术天文地球更多>>
- 质子和中子的单粒子效应等效性实验研究被引量：3
- 2002年
- 通过实验方法确定了高能质子和中子引起的单粒子效应等效关系。实验中采用金箔散射法降低了质子束流强度 ,并利用热释光剂量计 (TLD)进行质子注量的监测 ,采用新研制的存储器长线实时监测系统 ,进行了 64K位至 4 M位的 SRAM器件单粒子效应实验 ,确定了两种粒子引起单粒子效应等效关系。
- 杨海亮李国政姜景和贺朝会唐本奇
- 关键词：单粒子效应等效性质子中子
- 星用CMOS器件辐照损伤和退火效应研究被引量：1
- 2000年
- 文章研究了CMOS器件 (LC54HC0 4RH) 6 0 CoΥ射线的总剂量辐照实验以及辐照后在 1 0 0℃温度场下的退火效应。实验发现 ,辐照后 ,器件在加温和加偏条件下 ,可以加速n沟器件界面态的增长和氧化物陷阱电荷的退火 ,而加温浮空偏置条件下有利于n沟器件界面态的退火 ;但在 1 0 0℃温度场中 ,两种偏置条件都有利于p沟器件氧化物陷阱电荷和界面态的退火。
- 何宝平张正选姜景和王永强
- 关键词：剂量率退火效应CMOS器件
- NMOS晶体管的退火特性研究被引量：1
- 2000年
- 探讨了加固型CC4 0 0 7经60 Coγ射线辐照后NMOS晶体管的退火特性 ,研究了辐照敏感参数随辐照剂量、退火温度、退火时间和退火偏置的变化关系。经相同总剂量辐照的器件 ,高温 10 0℃下的退火速度远大于室温 2 5℃下的退火速度。 2 5～ 2 50℃下的等时退火 ,其退火程度接近 168h的 10 0℃等温退火。对不同的退火情况 ,退火偏置的作用是相似的 ,+5V栅偏压退火速度大于0V栅偏压和浮空退火速度。对氧化物陷阱电荷的退火及界面态陷阱的产生机理进行了分析 ,并对加速实验方法进行了初步探讨。
- 姚育娟张正选彭宏论何宝平姜景和
- 关键词：等温退火NMOS晶体管电离辐照
- 双极晶体管不同脉宽γ剂量率效应研究被引量：7
- 2000年
- 介绍了晶体管在脉冲γ辐射源辐照下光电流的产生机理、测量方法，以及二次光电流与晶体管结构、γ剂量率和γ波形宽度的关系。在现有的实验条件下（四种γ脉冲辐射源，宽度分别为：～２ｎｓ，～２０ｎｓ，～６０ｎｓ，～１００ｎｓ，剂量率为１０５～１０６Ｇｙ／ｓ），对三种晶体管进行了辐照，对其等效关系进行了分析，得到了二次光电流与总剂量基本成线性关系的结论。
- 王桂珍姜景和彭宏论常东梅郭红霞杨海帆
- 关键词：双极晶体管
- 不同辐射剂量率下CMOS器件的电离辐射性能被引量：6
- 1999年
- 对加固 Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ 器件在两种辐射剂量率下进行辐照实验，研究了 Ｍ Ｏ Ｓ Ｆ Ｅ Ｔ 阈值电压及 Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ倒相器转换电压 Ｖｔｒ、开门电压 Ｖｉｈ 、关门电压 Ｖｉｌ等参数随辐射剂量及辐射剂量率的变化关系规律．
- 张正选罗晋生袁仁峰何宝平姜景和
- 关键词：CMOS器件
- 利用MOSFET亚阈I-V特性进行辐射感生界面陷阱的测量被引量：1
- 1999年
- 本文利用MOSFET亚阈IV曲线对加固和非加固MOSFET的辐射感生界面陷阱密度进行了测量.
- 张正选罗晋生袁仁峰何宝平姜景和罗尹虹
- 关键词：I-V特性MOSFET
- 星用典型CMOS器件54HC04^(60)Co源辐射效应研究被引量：1
- 2000年
- 给出了加固和非加固 5 4HC0 4电路在不同辐射偏置下的低剂量率辐射实验结果 ,探讨了电流转移曲线、辐射感生漏电流、阈值电压、转换电压随辐射剂量的变化关系。
- 何宝平张正选郭红霞姜景和
- 关键词：阈值电压CMOS器件
- ^(90)Sr-^(90)Y源半导体器件辐照效应在线测量系统
- 2000年
- 介绍了一种新型半导体效应参数测量装置 ,以 90 Sr- 90 Y为模拟源辐射装置与半导体参数测试仪共同组成半导体器件辐射效应测量系统 ,可进行各类器件和电路总剂量辐照效应测量与分析 ,系统实现了在线测量和辐射剂量率的连续调节 ,特别适宜于对卫星空间辐射环境的模拟。利用系统开展了几种 CMOS器件辐射效应实验研究 ,给出了器件在 90 Sr- 90 Y源低剂量率辐射条件下的失效剂量。
- 吴国荣张正选罗尹虹郭红霞周辉姜景和
- 关键词：MOS器件在线测量系统
- 参数设计对NMOSFET加固性能改进的理论模拟
- 对具有侧向寄生晶体管的NMOSFET进行二维数值模拟,探讨了掺杂浓度、辐照偏压以及鸟嘴形状三个关键参数对于器件抗总剂量辐射加固性能的影响.分析得出,增加鸟嘴和场氧区下的掺杂浓度,降低辐照栅电压,以及减少鸟嘴斜率都有助于降...
- 罗尹虹张正选姜景和姚育娟何宝平王桂珍彭宏论
- 关键词：抗辐射加固
- 文献传递
- 质子和中子引起的单粒子效应及其等效关系理论模拟被引量：8
- 2001年
- 根据器件几何尺寸、掺杂浓度、偏压等因素确定灵敏体积和临界电荷 ,从而提出单粒子效应的物理模型。考虑了质子和中子在硅中的弹性散射、非弹性散射、两体反应、多体反应以及质子的库仑散射等所有相互作用类型 ,采用蒙特卡罗方法模拟跟踪入射粒子与核的相互作用以及各种次级带电粒子和反冲核的能量沉积过程。采用Ziegler的拟合公式精确计算质子、α粒子、氘核、反冲核等带电离子的能量沉积。根据模拟结果确定了两种粒子引起的单粒子效应等效系数 ,并将模拟结果与实验数据进行了对比。
- 杨海亮李国政李原春姜景和贺朝会唐本奇
- 关键词：质子中子单粒子效应蒙特卡罗方法航天器宇宙射线
