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陈正东

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：南京电子器件研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇脉冲
  • 2篇脉冲功率晶体...
  • 2篇晶体管
  • 2篇功率晶体管
  • 2篇硅脉冲功率晶...
  • 1篇脉冲输出
  • 1篇P波段
  • 1篇硅
  • 1篇L波段
  • 1篇MHZ

机构

  • 2篇南京电子器件...

作者

  • 2篇刘六亭
  • 2篇郑承志
  • 2篇王因生
  • 2篇陈正东
  • 2篇张树丹
  • 2篇谭卫东
  • 1篇张纪生
  • 1篇周德红
  • 1篇康小虎

传媒

  • 2篇固体电子学研...

年份

  • 1篇1994
  • 1篇1993
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
L波段100W硅脉冲功率晶体管
1993年
南京电器件研究所采用φ75mm硅片研制成脉冲输出100W的L波段硅功率晶体管，
谭卫东张纪生熊承堃王因生张树丹刘六亭郑承志陈统华陈正东
关键词：功率晶体管P波段脉冲输出
600　MHz　150W硅脉冲功率晶体管被引量：3
1994年
６００ＭＨｚ１５０Ｗ硅脉冲功率晶体管王因生，陈正东，张树丹，谭卫东，郑承志，刘六亭，康小虎，周德红，陈统华（南京电子器件研究所，２１００１６）Ａ６００ＭＨｚ１５０ＷＳｉｌｉｃｏｎＢｉｐｏｌａｒＰｕｌｓｅｄＰｏｗｅｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ￥ＷａｎｇＹｉｎ...
王因生陈正东张树丹谭卫东郑承志刘六亭康小虎周德红陈统华
关键词：功率晶体管硅脉冲
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