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陶利

作品数:5 被引量:0H指数:0
供职机构:北京大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程更多>>

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 4篇激光
  • 4篇激光器
  • 3篇阵列
  • 3篇激光器阵列
  • 3篇波长
  • 3篇波导
  • 2篇多波长
  • 2篇键合
  • 2篇波导阵列
  • 1篇电泵
  • 1篇多量子阱
  • 1篇喹啉
  • 1篇羟基
  • 1篇羟基喹啉
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米压印
  • 1篇纳米压印技术
  • 1篇近红外
  • 1篇近红外发光
  • 1篇刻蚀

机构

  • 5篇北京大学

作者

  • 5篇陶利
  • 5篇冉广照
  • 4篇李艳平
  • 2篇陈娓兮
  • 1篇王维

传媒

  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇实验技术与管...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2014
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
一种纳米压印制备多波长硅基混合激光器阵列的方法
本发明公开了一种纳米压印制备多波长硅基混合激光器阵列的方法。本方法为:1)利用纳米压印技术在SOI片的硅层上制备出具有多波长光栅结构的硅波导阵列图形;2)利用刻蚀技术在SOI片的硅层上制备出具有多波长光栅结构的硅波导阵列...
李艳平陶利陈娓兮冉广照
文献传递
利用二次曝光技术制备多波长硅基混合激光器阵列的方法
本发明公开了一种利用二次曝光技术制备多波长硅基混合激光器阵列的方法。本方法为:1)利用二次曝光技术在SOI片的硅层上制备出所需光栅;2)在SOI片的硅层上垂直于光栅的方向制备出多个宽度不同的硅波导,得到一硅波导阵列;3)...
李艳平陶利高智威冉广照
利用二次曝光技术制备多波长硅基混合激光器阵列的方法
本发明公开了一种利用二次曝光技术制备多波长硅基混合激光器阵列的方法。本方法为:1)利用二次曝光技术在SOI片的硅层上制备出所需光栅;2)在SOI片的硅层上垂直于光栅的方向制备出多个宽度不同的硅波导,得到一硅波导阵列;3)...
李艳平陶利高智威冉广照
文献传递
制备电泵硅基混合激光器的选区金属键合方法
2016年
为了解决制约硅基光电集成技术发展的硅基激光器等硅基光源的制备问题,提出了一种新颖的选区金属键合方法,解决了传统金属键合方法中光吸收损耗严重的问题,并实现了直接键合方法中的高效率光耦合。该方法具有工艺简单,环境要求低,电、热和机械性能优越,键合温度低、时间短,能够有选择性地将很小的单元结构键合到硅基芯片上等优点。该方法也可用于键合光探测器和光放大器等其他分立器件。
李艳平陶利冉广照陈娓兮
关键词:光互连
有机发光二极管中ADN掺杂ErQ的1.54μm电致发光(英文)
2014年
自行设计了基于8-羟基喹啉铒(ErQ)为发射层(EMLs)和二硝酰胺铵(ADN)为蓝光主体材料的近红外有机发光二级管.器件的基本结构为(p-Si/NPB/EML/Bphen/Bphen:Cs2CO3/Sm/Au),设计并比较了三套不同发射层结构(ErQ/ADN为双层结构器件,(ErQ/ADN)×3为多层结构器件,ErQ:ADN为掺杂结构器件)的器件.三组器件在一定的偏压下,均可发出1.54μm的光,对应三价铒离子4I13/2→4I15/2的跃迁.其中,ADN:ErQ(1∶1)掺杂结构的近红外电致发光强度是ADN/ErQ双层结构中的三倍.此外,不同掺杂浓度的ADN:ErQ复合膜做了以下表征:吸收谱、光致发光谱和荧光寿命谱.实验结果证实了在近红外电致发光过程中存在从ADN主体分子到ErQ发射分子的高效率的能量转移.
屈海京陶利王维冉广照
关键词:近红外发光ERBIUMTRIS
共1页<1>
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