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万旭东

作品数：16 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 14篇存储器
  • 12篇相变存储
  • 12篇相变存储器
  • 6篇纳米
  • 6篇刻蚀
  • 4篇电极
  • 4篇浅沟道隔离
  • 4篇离子刻蚀
  • 4篇沟道
  • 4篇二极管阵列
  • 4篇反应离子
  • 4篇反应离子刻蚀
  • 3篇等离子刻蚀
  • 3篇相变材料
  • 3篇化学机械抛光
  • 3篇机械抛光
  • 3篇光刻
  • 3篇光刻胶
  • 2篇导电类型
  • 2篇电极材料

机构

  • 16篇中国科学院

作者

  • 16篇宋志棠
  • 16篇万旭东
  • 14篇刘波
  • 12篇吴关平
  • 12篇封松林
  • 8篇张挺
  • 6篇冯高明
  • 6篇谢志峰
  • 4篇张超
  • 4篇陈邦明
  • 4篇杨左娅
  • 2篇宋三年

年份

  • 3篇2013
  • 2篇2012
  • 5篇2010
  • 6篇2009
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
二极管及电阻转换存储器的制造方法
本发明提供一种二极管及电阻转换存储器的制造方法，其中的单晶硅的制备是通过在特定金属上沉积多晶硅薄膜，采用退火工艺，利用特定金属对多晶硅结晶的诱导作用，在较低温度下使多晶硅薄膜结晶形成单晶硅，随后采用半导体工艺制造二极管阵...
张挺宋志棠刘波万旭东吴关平封松林陈邦明
一种纳米级柱状相变存储器单元阵列的制备方法
本发明涉及一种纳米级柱状相变存储器单元阵列的制备方法，包括：在底电极材料衬底上沉积一层金属薄膜；利用亚微米CMOS标准工艺曝光技术，制备出光刻胶图形；利用反应离子刻蚀技术中O<Sub>2</Sub>气体，对光刻胶的形貌进...
冯高明宋志棠刘波封松林万旭东吴关平
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双浅沟道隔离的外延二极管阵列的制备方法
本发明公开了一种双浅沟道隔离的外延二极管阵列的制备方法，该方法首先在衬底上形成重掺杂的第一导电类型区域和高掺杂的第二导电类型区域，生长外延层，然后通过深沟道刻蚀形成二极管阵列字线间的隔离和垂直于深沟道方向的浅沟道刻蚀形成...
张超宋志棠万旭东刘波吴关平张挺杨左娅谢志峰
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双浅沟道隔离的外延二极管阵列的制备方法
本发明公开了一种双浅沟道隔离的外延二极管阵列的制备方法，该方法首先在衬底上形成重掺杂的第一导电类型区域和高掺杂的第二导电类型区域，生长外延层，然后通过深沟道刻蚀形成二极管阵列字线间的隔离和垂直于深沟道方向的浅沟道刻蚀形成...
张超宋志棠万旭东刘波吴关平张挺杨左娅谢志峰
有效抑制自掺杂效应的外延生长方法
本发明涉及了一种有效抑制自掺杂效应的外延生长方法，其首先清除含有重掺杂埋层区域的半导体衬底和待使用的反应腔室内壁的杂质，然后将半导体衬底载入被清洗过的反应腔室，在真空条件下对其进行预烘烤，以去除所述半导体衬底表面的湿气及...
张超宋志棠万旭东刘波吴关平张挺杨左娅谢志峰
柱状纳米加热电极的制备方法
本发明涉及一种柱状纳米加热电极的制备方法，首先在衬底上沉积一层厚度为100nm～300nm的TiN薄膜，利用亚微米CMOS标准工艺曝光技术在TiN薄膜上形成直径为200nm～300nm的光刻胶图形，接着利用反应离子刻蚀技...
冯高明宋志棠刘波封松林万旭东吴关平
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一种纳米复合相变材料及其制备方法
本发明是关于一种新型纳米复合相变材料及其制备方法。纳米复合相变材料特征在于相变材料与铁电材料的复合，铁电材料将相变材料分隔成形状和大小可控的、均匀的、纳米尺寸的区域，从而把相变材料的相变限制在小区域内，同时因为铁电材料具...
宋三年宋志棠万旭东谢志峰封松林
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相变存储器加热电极的制备方法
本发明涉及一种相变存储器加热电极的制备方法，首先利用CVD技术在衬底上依次沉积SiO<Sub>2</Sub>/Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>/SiO<Sub>2</Sub>介质层，接着使用亚微米C...
冯高明宋志棠刘波封松林万旭东吴关平
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柱状纳米加热电极的制备方法
本发明涉及一种柱状纳米加热电极的制备方法，首先在衬底上沉积一层厚度为100nm～300nm的TiN薄膜，利用亚微米CMOS标准工艺曝光技术在TiN薄膜上形成直径为200nm～300nm的光刻胶图形，接着利用反应离子刻蚀技...
冯高明宋志棠刘波封松林万旭东吴关平
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双浅沟道隔离的双极型晶体管阵列的制造方法
本发明涉及双浅沟道隔离(dual－STI)的双极型晶体管阵列的制造方法，其特征在于制造方法中，避免了选择性外延法，在第一导电类型的衬底上制造形成较深的STI，在STI的侧壁和底部均匀沉积含有易扩散的第二导电类型原子材料；...
张挺宋志棠万旭东刘波封松林陈邦明
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