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任尧成

作品数：9 被引量：4H指数：2
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 4篇GSMBE
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体材料
  • 2篇GAN
  • 2篇GSMBE生...
  • 2篇INALAS...
  • 2篇掺杂
  • 1篇调制掺杂
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结双极晶...
  • 1篇双极晶体管
  • 1篇探测器
  • 1篇气态源分子束...
  • 1篇铟镓砷
  • 1篇晶体管
  • 1篇光电
  • 1篇光电探测
  • 1篇光电探测器
  • 1篇厚膜
  • 1篇二维电子

机构

  • 5篇中国科学院上...
  • 4篇中国科学院

作者

  • 9篇任尧成
  • 4篇李爱珍
  • 4篇陈建新
  • 3篇李爱珍
  • 2篇李存才
  • 2篇陈建新
  • 2篇张永刚
  • 2篇张永刚
  • 2篇齐鸣
  • 1篇彭瑞伍
  • 1篇茹国平
  • 1篇魏茂林
  • 1篇李爱珍
  • 1篇赵智彪
  • 1篇郑燕兰
  • 1篇杨全魁
  • 1篇丁永庆
  • 1篇李伟
  • 1篇齐鸣
  • 1篇李伟

传媒

  • 3篇功能材料与器...
  • 2篇第五届全国分...
  • 1篇物理学报
  • 1篇稀有金属
  • 1篇第六届全国分...

年份

  • 2篇2001
  • 2篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1996
  • 2篇1995
  • 1篇1992
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
厚膜GaN衬底上的GaN生长及特性研究
用多种生长方法相结合的方法来降低GaN基材料与异质衬底之间的大失配问题,是提高材料质量的重要方法.本文介绍了原膜GaN衬底上的GaN生长方法,并用双晶X射线衍射仪及紫外一可见光栅光谱仪对所得材料进行了表征测量.
任尧成李伟李存才李爱珍
关键词：GAN半导体材料
文献传递
MOCVD法生长Ga_(l-X)In_xAs_(l-y)Sb_y的物化研究
1992年
为更好地控制MOCVD Ⅲ-Ⅴ族锑化物的生长,改进外延层性质,本文用物理化学方法研究了Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)Sb_y合金的生长过程。用热力学的“平衡模型”计算了铟和锑的分配系数及外延层固相组成与生长条件的关系,用化学动力学方法推导了当外延过程为物质扩散控制、化学反应控制及混合控制时的外延层生长速率公式,结果均符合实验规律。
韦光宇彭瑞伍任尧成丁永庆
关键词：MOCVD
δ－掺杂GaAs／AlxGa_（1－x）As二维电子气结构材料的GSMBE生长与特性
1996年
本文用ＧＳＭＢＥ技术生长纯度ＧａＡｓ和δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ结构二维电子气材料并对其电学性能进行了研究。对于纯度ＧａＡｓ的ＧＳＭＢＥ生长和研究，在低掺Ｓｉ时，载流子浓度为２×１０^（１４）ｃｍ^（－３），７７Ｋ时的迁移率可达８４，０００ｃｍ~２／Ｖ．ｓ。对于用ＧＳＭＢＥ技术生长的δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料，在优化了材料结构和生长工艺后，得到了液氮温度和６Ｋ迁移率分别为１７３，５８３ｃｍ~２／Ｖ．５和７．６７×１０~５ｃｍ~２／Ｖ．ｓ的高质量ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料。
陈建新李爱珍齐鸣任尧成
关键词：GSMBE二维电子气掺杂半导体材料
气态源分子束外延InGaP／GaAs结构及其在异质结双极晶体管中的应用被引量：2
1995年
本文研究了ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结构的气态源分子束外延（ＧＳＭＢＥ）生长，所得样品晶格失配率△α／α＜８．９５×１０￣（－５），本底载流子浓度为１０￣（１５）ｃｍ￣（－３）数量级，掺硅ｎ型样品的载流子浓度控制范围可达２×１０￣（１５）～４×１０￣（１８）ｃｍ￣（－３）。研究了Ｐ＿２和Ａｓ＿２气氛的切换条件对ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结构界面特性的影响，并成功地生长了ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）结构材料，用此材料在国内首次制成的ＨＢＴ器件ｆｒ＝２５ＧＨｚ，ｆ＿（ｍａｘ）＝４６ＧＨｚ，电流增益β＝４０，最高可达β＝１５０。
齐鸣李爱珍任尧成陈建新张永刚李存才
关键词：双极晶体管GSMBE
InP基OEIC单元及其集成接收机结构材料的GSMBE一次生长
陈建新李爱珍杨全魁任尧成
关键词：INPGSMBE生长
InAlAs／InGaAsMSM光电探测器被引量：2
1995年
采用ＧＳＭＢＥ方法及典型的器件工艺制成了用ＩｎＡｌＡｓ作为肖特基势垒增强材料的高性能ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰＭＳＭ光电探测器。用自制的测试系统对器件的直流和瞬态特性进行了测试，测试结果表明，器件的击穿电压大于３０Ｖ，在１０Ｖ偏压下暗电流小于２０ｎＡ，对应的暗电流密度为３ｐＡ／μｍ￣２，优于已有的文献报导；器件的瞬态响应中上升时间小于２０ｐｓ，半高全宽小于４０ｐｓ，器件性能表明用此套ＧＳＭＢＥ系统在优化生长条件下生长的ＩｎＰ系材料质量良好，在外延层晶体质量，本底杂质浓度及界面质量等方面已达到较高水平。
张永刚陈建新任尧成李爱珍
关键词：光电探测器GSMBE
3～5μm波段InAlAs/InGaAs QWIP特性研究
张永刚李全魁任尧成李爱珍陈建新中国科学院上海冶金研究所
关键词：INALAS/INGAASQWIP半导体材料
GaN基材料RF等离子体MBE生长
齐鸣李爱珍李伟任尧成李存才赵智彪陈建新张永刚郑燕兰魏茂林茹国平
通过研究建立了射频等离子体分子束外延系统及辅助系统。在白宝石、SiC、HVPEGaN/Al2O3三种衬底上生长出具有光学特性、结构特性、电学特性的GaN、AlGaN（XAL0-0.25）材料。研制了AlGaN/GaN/A...
关键词：
关键词：GANMBE
赝配InGaAs/InAlAs调制掺杂异质结构的Shubnikov-de Haas振荡
1998年
赝配ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ调制掺杂异质结构可以获得很高的电子气面密度和电子迁移率，从而可以制成具有优越高频和低噪声特性的高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ）．文中报道ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ调制掺杂异质结构低温下纵向和横向磁阻随磁场强度变化的ＳｈｕｂｎｉｋｏｖｄｅＨａａｓ（ＳｄＨ）振荡和量子Ｈａｌ效应．对ＳｄＨ振荡曲线作了快速傅里叶变换，获得了二维电子气的能带结构和各能带上的电子气面密度．分析比较了顶层ＩｎＧａＡｓ不同掺杂情况对ＳｄＨ振荡的影响，结果发现顶层ＩｎＧａＡｓ重掺杂，会对表面态起屏蔽作用。
陈建新李爱珍任尧成
关键词：调制掺杂铟镓砷
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