您的位置： 专家智库 > >

姜志雄

作品数：6 被引量：2H指数：1
供职机构：清华大学电子工程系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇质谱
  • 4篇离子
  • 4篇二次离子质谱
  • 3篇砷化镓
  • 2篇SIMS
  • 2篇硅
  • 2篇AL
  • 2篇GA
  • 2篇X
  • 1篇质谱学
  • 1篇砷化镓表面
  • 1篇谱学
  • 1篇氩离子
  • 1篇离子发射
  • 1篇铝镓砷
  • 1篇极型
  • 1篇Δ掺杂
  • 1篇SI
  • 1篇SIMS分析
  • 1篇XGA

机构

  • 6篇清华大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 6篇查良镇
  • 6篇姜志雄
  • 2篇王佑祥
  • 2篇陈新
  • 1篇陈新
  • 1篇陈春华
  • 1篇莫志强

传媒

  • 3篇真空科学与技...
  • 1篇Journa...
  • 1篇清华大学学报...
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 2篇1996
  • 1篇1995
  • 2篇1994
  • 1篇1991
共 6 条 记 录，以下是 1-6
全选 清除 导出
排序方式：
注氧条件下GaAs中Ga^+二次离子发射的研究
1994年
在有与没有Ar+同时轰击的条件下，研究了GaAs中Ga+2次离子发射的氧效应。对吸附在表面上的氧以及反弹注入到表面内的氧引起的Ga+二次离子产额增强效应进行了实验研究，同时测量了氧分压强对Ga+二次离子能量分布的影响。实验结果表明：注氧后Ga+二次离子能量分布变窄且最可见能量向低能端移动2～3eV，说明氧对低能Ga+二次离子的增强作用更强，这可以用断键模型来解释。
莫志强姜志雄查良镇
关键词：砷化镓镓
用四极型SIMS对砷化镓中硅定量分析的研究
1994年
ＧａＡｓ中Ｓｉ的定量分析是典型的ＳＩＭＳ分析课题，有明确的应用背景。文中对影响ＳＩＭＳ定量分析的一些基本因素进行了实验研究，用Ｏ２＋源和Ｃｓ＋源对均匀掺硅和离子注入硅的ＧａＡｓ样品进行了定量分析，考察了实验的稳定性。
姜志雄查良镇陈新陈春华王佑祥
关键词：二次离子质谱砷化镓硅
铝镓砷中硅δ掺杂的SIMS分析
1995年
评述了国际上δ掺杂样品SIMS分析的现状，研究了相关的基础实验技术，讨论了分析硅δ掺杂的AlGaAs样品时，选择高质量分辨及对不同一次离子能量下相对灵敏度因子进行核准的必要性，考察了一次束的展宽效应和δ掺杂层位置的微分飘移，对硅δ掺杂的AlGaAs样品用O源进行了定量分析，并对结果作了讨论。
姜志雄查良镇M.SchuhmacherD.Renard
关键词：二次离子质谱铝镓砷Δ掺杂
四极SIMS对Al_xGa_（1－x）As中Si的定量分析被引量：1
1996年
本文讨论了用ＭＩＱ－１５６四极ＳＩＭＳ仪器对ＡｌｘＧａ（ｌ－ｘ）Ａｓ中Ｓｉ进行定量分析的实验方法，考察了测量结果的重复性及ｘ变化时ＳｉＲＳＦ的变化规律，在ＩＭＳ－４ｆＳＩＭＳ仪器上进行了对比测试，用Ｃｓ＋源对（２９）Ｓｉ的原子检测限达到４×１０（１５）ｃｍ（－３）．
姜志雄查良镇王佑祥陈春华陈新
关键词：SIMSALGAAS
原子团离子在Al_(x)Ga(1-x)As基体组分SIMS定量分析中的应用被引量：1
1996年
通过检测原子团离于MCs+和MAs－（M是基体元素）对AlxGa1-xAs基体组分进行了定量的分析，考察了MIQ－156SIMS上所测这些原子团离子的能量分布及其对分析结果的影响，并对正、负SIMS测量方法做出比较。
姜志雄查良镇王佑祥陈春华陈新
关键词：二次离子质谱
清洁砷化镓表面二次离子质谱及其与一次氩离子能量关系的研究
1991年
本文针对砷化镓材料中微量元素的定量分析进行了二次离子质谱的应用基础研究。对离子束清洗及超高真空下清洁砷化镓表面SIMS谱的获得进行了研究,讨论了谱的特征,研究了主要谱峰强度与一次氩离子能量的关系,还对可能出现的GaOH_x^+(X=0,1,…)原子团离子进行了实验研究和讨论,最后对国产GaAs材料的一些实验结果进行了简要的对比。
林卫东潘敏童玉琴黄杭军姜志雄查良镇
关键词：砷化镓氩离子质谱学产额离子发射
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0