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张志平

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学电子电信机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇机械工程
  • 2篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 3篇硅材料
  • 2篇电光
  • 2篇电光效应
  • 2篇线性电光效应
  • 2篇光学
  • 2篇光学效应
  • 2篇二阶非线性光...
  • 2篇非线性光学
  • 2篇非线性光学效...
  • 1篇电场诱导
  • 1篇直流
  • 1篇直流电
  • 1篇理论和实验研...
  • 1篇场诱导

机构

  • 3篇吉林大学

作者

  • 3篇贾刚
  • 3篇朱景程
  • 3篇张志平
  • 3篇刘秀环
  • 3篇陈占国
  • 2篇赵建勋
  • 2篇牟晋博
  • 2篇孙鉴波
  • 1篇王振宇
  • 1篇张玉红

传媒

  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇第十七届全国...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
硅材料场致二阶非线性光学效应的理论和实验研究
硅是目前应用最为广泛、工艺最为成熟的传统半导体材料，它不仅是微电子学领域的主体材料，也是发展集成光学、集成光电子学的首选材料。由此发展起来的硅基光电子学、硅光子学已经成为目前的研究热点之一。制约硅光子学发展的重大障碍有两...
陈占国贾刚刘秀环赵建勋张玉红朱景程孙鉴波张志平
关键词：硅材料光学效应
文献传递
硅材料外加直流电场诱导的线性电光效应
2011年
在直流电场作用下,硅单晶的反演对称性被破坏,从而诱导产生二阶非线性光学效应。主要研究了硅材料在外加直流电场作用下诱导产生的场致线性电光效应。以沿(111)面切割的近本征硅材料为样品,采用平行板电容器结构,通过横向电光调制实验,观测到在不同直流偏压下,电光信号随调制电压而线性增加,且直流偏压越大,电光信号增加的斜率越大。进一步的研究表明:硅材料场致线性电光信号的大小随直流偏压的增加而线性增加。这种场致线性电光效应可被用于制作新型的硅基高速电光调制器。
朱景程贾刚刘秀环孙鉴波张志平赵建勋牟晋博陈占国
关键词：二阶非线性光学效应
硅材料中场致线性电光效应与等离子体色散效应
理想的硅单晶是具有反演对称性的半导体材料，因而不具有线性电光效应等二阶非线性光学效应。尽管硅材料中也存在克尔效应、Franz-Keldysh效应等通过外加电场改变材料折射率的现象，但是这些效应都很微弱，无法应用这些效应制...
朱景程张志平牟晋博王振宇贾刚刘秀环陈占国
关键词：硅材料
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