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彭聪

作品数:1 被引量:15H指数:1
供职机构:中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
发文基金:国家自然科学基金安徽省自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇深能级
  • 1篇深能级瞬态谱
  • 1篇瞬态
  • 1篇能级
  • 1篇光谱
  • 1篇光强
  • 1篇光强度
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光谱
  • 1篇发光
  • 1篇发光强度
  • 1篇PL谱
  • 1篇DLTS

机构

  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 1篇杨震
  • 1篇傅竹西
  • 1篇彭聪
  • 1篇刘磁辉
  • 1篇林碧霞
  • 1篇陈宇林
  • 1篇朱俊杰

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2001
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
ZnO/p-Si异质结的深能级及其对发光的影响被引量:15
2001年
利用深能级瞬态谱 (DLTS)和光致发光谱 (PL) ,研究了ZnO/p Si异质结的两种不同温度 (85 0℃ ,10 0 0℃ )退火下的深能级中心。发现 85 0℃退火的样品存在 3个明显的深中心 ,分别为E1=Ev+0 2 1eV ,E2=Ev+0 44eV ,E3=Ev+0 71eV ;而 10 0 0℃退火样品仅存在一个E1=Ev+0 2 1eV的中心 ,且其隙态密度要比 85 0℃退火的大。同时 ,测量了两个样品的PL谱。发现 10 0 0℃退火可消除一些影响发光强度的深能级 ,对改善晶格结构 ,提高样品的发光强度有利。
刘磁辉朱俊杰林碧霞陈宇林彭聪杨震傅竹西
关键词:深能级瞬态谱DLTSPL谱光致发光谱发光强度深能级
共1页<1>
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