曹礼强
- 作品数：5 被引量：14H指数：3
- 供职机构：四川大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- ZnGeP_2晶体轴向成分均匀性的XPS分析被引量：4
- 2014年
- 通过改进ZnGeP2晶体的合成和生长工艺,获得了尺寸为24 mm×60 mm的ZnGeP2单晶体。采用X射线光电子能谱（XPS）对生长出的晶体轴向成分进行了分析。结果表明,晶体在籽晶、放肩和主体部分成分一致,在尾部存在X射线衍射（XRD）未能检测出的极少量的P和Ge的氧化物,说明生长出的ZnGeP2单晶体的轴向成分比较均匀。红外透过率测试显示,晶体的轴向各部分在3~8μm波长范围内透过率均在56%以上,而尾部在近红外波段（1.3~2.6μm）的吸收明显要高于其他各部分。
- 陈成朱世富赵北君陈宝军何知宇杨登辉曹礼强刘伟
- 关键词：均匀性透过率
- 磷锗锌晶体的热处理研究被引量：5
- 2013年
- 采用改进垂直布里奇曼法生长出的磷锗锌(ZnGeP2,ZGP)晶体中存在各种缺陷,导致其红外透过率较低,刚生长的晶体不能直接用于制备红外非线性光学器件。分别采用真空、同成分粉末包裹和真空-同成分粉末包裹的复合退火工艺对生长的ZGP晶体进行了退火热处理研究。应用傅立叶红外光谱仪(FTIR)、高阻仪(HRM)、X射线能谱仪(EDS)等对退火前后的晶体性能和成分进行了测试分析。结果表明,三种方法退火后晶体的红外透过率和电阻率都得到改善,其中复合退火工艺的改善效果最为显著,晶体红外透过率由41%提高到60%,电阻率由2.5×108Ω.cm提高到7.2×108Ω.cm,晶体成分接近ZGP理想化学配比,退火后晶体的光学和电学性能得到显著改善,可用于ZGP-OPO器件制作。
- 张建强赵北君朱世富陈宝军何知宇王志超杨登辉曹新玲曹礼强
- 关键词：退火红外透过率电阻率
- 垂直布里奇曼法生长磷锗锌单晶体与性能表征（英文）被引量：1
- 2015年
- 采用改进的垂直布里奇曼法在自制的三温区炉内生长出尺寸达Ф24 mm×70 mm的磷锗锌（ZnGeP2,ZGP）单晶体,将晶体在600℃下于同成分粉末包裹中进行了500 h退火热处理。采用X射线衍射仪（XRD）、X射线荧光仪（XRF）以及傅里叶红外光谱仪（FTIR）对ZGP晶体结构、成分和光学性能进行了测试和分析表征。加工制作出ZGP光参量振荡器（ZGP-OPO）,采用2.1μm、7 kHz激光泵浦ZGP-OPO,实现了3~5μm中红外调谐激光输出,功率达0.48 W。上述结果表明所研制的ZGP晶体结构完整,品质高,能够用于制作非线性光学元器件应用。
- 杨登辉赵北君朱世富陈宝军何知宇曹礼强陈成谢虎
- 关键词：ZNGEP2单晶生长XRD
- 改良西门子法多晶硅产品质量分析被引量：4
- 2013年
- 以工业硅为原料采用改良西门子法生产出质量优良的多晶硅,分别采用ICP-MS、低温傅立叶变换红外光谱、硅多晶气氛区熔基P检验法和真空区熔基B检验法等,对三氯氢硅中的杂质和多晶硅产物中的P、B、C、O含量及其P、B电阻率进行了检测,报道了改良西门子法获得的优质多晶硅产品质量检测数据;对影响多晶硅产物质量的各种因素,包括原料混合气进料量变化,还原炉内生长温度,生长过程中AEG电气的电压、电流变化,以及中间产品精制三氯氢硅、氢气的质量等进行了分析讨论。研究结果对于稳定生长高质量多晶硅具有重要参考价值。
- 曹礼强赵北君刘林
- 关键词：三氯氢硅多晶硅
- 磷锗锌晶体器件定向加工研究
- 2013年
- 研究报道了坩埚下降法自发成核生长的ZnGeP2(ZGP)晶体光学器件定向加工新方法。即首先结合晶体的易解理面((112)面、(101)面)和标准极图以及X射线衍射仪,快速寻找c轴方向,确定晶体的(001)面;再由相位匹配角、方位角以及(101)和(102)晶面确定ZGP晶体的通光面,定向切割加工得到ZGP光参量振荡(OPO)器件初坯,经X射线衍射仪修正角度和后续抛光镀膜处理,制备出11 mm×11 mm×22 mm的ZGP-OPO器件。采用2.1μm、7 kHz激光泵浦ZGP-OPO,实现了3～5μm中红外调谐激光输出,功率达0.48 W。此方法不仅适用于ZGP晶体的定向加工,也适用于具有类似结构的其他晶体器件定向加工。
- 杨登辉赵北君朱世富陈宝军何知宇曹礼强陈成
- 关键词：相位匹配X射线衍射谱
