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李艳

作品数：12 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：中国科学院仪器设备功能开发技术创新项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 5篇刻蚀
  • 4篇淀积
  • 4篇掩膜
  • 4篇光刻
  • 4篇光刻胶
  • 4篇硅薄膜
  • 4篇干法刻蚀
  • 2篇氮化硅
  • 2篇氮化硅薄膜
  • 2篇电子束曝光
  • 2篇氧化硅
  • 2篇氧化硅薄膜
  • 2篇真空室
  • 2篇致密
  • 2篇深刻蚀
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇退火
  • 2篇清洗液
  • 2篇金属
  • 2篇抗腐蚀

机构

  • 12篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...
  • 1篇北京量子信息...

作者

  • 12篇李艳
  • 9篇杨富华
  • 4篇唐龙娟
  • 2篇裴为华
  • 2篇刘剑
  • 2篇朱银芳
  • 2篇王良臣
  • 2篇伊晓燕
  • 2篇张杨
  • 2篇杨晋玲
  • 2篇陈宇
  • 2篇解婧
  • 1篇张明亮
  • 1篇韩国威
  • 1篇王晓东

传媒

  • 1篇分析测试技术...

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2012
  • 3篇2011
  • 4篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法
本发明公开了一种采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法，该方法包括：步骤1：对样品进行清洗并预热；步骤2：在样品上淀积氮化硅薄膜；步骤3：对淀积有氮化硅薄膜的样品进行退火。本发明只使用一种功率源，方法简单快捷...
李艳杨富华唐龙娟朱银芳
文献传递
低损伤PECVD沉积致密SiO<Sub>2</Sub>的方法
一种低损伤PECVD沉积致密的SiO <Sub>2</Sub>掩膜层的方法，其特征在于，其包括如下的步骤：步骤1：清洗GaN基片：GaN基片用清洗液清洗并吹干；步骤2：沉积SiO <Sub>2</Sub>掩蔽层：将经过清...
陈宇王良臣伊晓燕李艳
文献传递
以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法
本发明公开了一种以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法，该方法包括：步骤1：在二氧化硅样品表面制备光刻胶掩膜；步骤2：对光刻胶掩膜进行梯度升温坚膜；步骤3：采用ICP干法刻蚀二氧化硅样品。本发明以光刻胶为掩膜进行二氧化...
李艳杨富华裴为华
低损伤PECVD沉积致密SiO<Sub>2</Sub>的方法
一种低损伤PECVD沉积致密的SiO<Sub>2</Sub>掩膜层的方法，其特征在于，其包括如下的步骤：步骤1：清洗GaN基片：GaN基片用清洗液清洗并吹干；步骤2：沉积SiO<Sub>2</Sub>掩蔽层：将经过清洗和...
陈宇王良臣伊晓燕李艳
文献传递
PECVD和ICP刻蚀技术及应用
等离子体增强化学气相淀积(PECVD)和电感耦合等离子体刻蚀(ICP)是半导体制造工业中常用的薄膜淀积和干法刻蚀技术，在微电子、光电子和MEMS等器件制备中发挥着非常重要的作用。本文重点研究了PECVD绝缘膜的淀积特性和...
李艳
以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法
本发明公开了一种以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法，该方法包括：步骤1：在二氧化硅样品表面制备光刻胶掩膜；步骤2：对光刻胶掩膜进行梯度升温坚膜；步骤3：采用ICP干法刻蚀二氧化硅样品。本发明以光刻胶为掩膜进行二氧化...
李艳杨富华裴为华
文献传递
瓦里安300XP离子注入机改造及功能开发被引量：1
2020年
在完全掌握瓦里安300XP离子注入机各部件的工作原理后,将原离子源供电系统中500 W电流源和450 W起弧电源升级为1500 W电流源和1500 W起弧电源,并集成到当前系统中.将现有不稳定的气体流量、离子源电源、分析器、源磁场和吸极高压塑料光纤隔离控制线路,升级成多通道光纤通讯光端机隔离控制系统.将一个10 cm进样终端改造成15 cm的样品卡盘,并开发了一套独立控制剂量监测系统.改造后,硼最大束流超过150μA,且可调节.15 cm圆片的片内及片间电阻不均匀性小于3.5%.利用大束流硼离子注入制备浓硼掺杂单晶硅结构层,应用到微电子机械系统压力传感器、热电器件以及纳米谐振子器件中.
张明亮韩国威韩国威李艳李艳杨富华
关键词：离子注入热电器件
采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法
本发明公开了一种采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法，该方法包括：步骤1：对衬底进行清洗；步骤2：在衬底上淀积二氧化硅薄膜；步骤3：在淀积有薄膜的衬底上涂敷光刻胶，进行光刻；步骤4：对光刻胶进行减薄处理；步骤...
唐龙娟杨晋玲解婧李艳杨富华
一种纳米尺度镍金空气桥的制备方法
本发明涉及空气桥制备技术领域，公开了一种纳米尺度镍金空气桥的制备方法，该方法包括：引进二氧化硅牺牲层；用电子束曝光结合电感耦合等离子体刻蚀所述二氧化硅牺牲层，定义出空气桥的桥墩；再次用电子束曝光，在双层电子束曝光胶上定义...
张杨刘剑李艳杨富华
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采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法
本发明公开了一种采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法，该方法包括：步骤1：对样品进行清洗并预热；步骤2：在样品上淀积氮化硅薄膜；步骤3：对淀积有氮化硅薄膜的样品进行退火。本发明只使用一种功率源，方法简单快捷...
李艳杨富华唐龙娟朱银芳
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