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解婧

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：文化科学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 3篇文化科学
  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇光刻
  • 6篇光刻胶
  • 4篇电池
  • 4篇电化学腐蚀
  • 4篇淀积
  • 4篇原电池
  • 4篇化学腐蚀
  • 4篇MEMS器件
  • 2篇电学性能
  • 2篇修饰
  • 2篇旋涂
  • 2篇氧化硅薄膜
  • 2篇原位表征
  • 2篇真空密封
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇金属化
  • 2篇金属化工艺
  • 2篇刻蚀
  • 2篇刻蚀工艺
  • 2篇硅薄膜

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇杨富华
  • 8篇杨晋玲
  • 8篇解婧
  • 6篇刘云飞
  • 2篇唐龙娟
  • 2篇李艳

年份

  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 4篇2010
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法
本发明公开了一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，该方法是在MEMS器件的金属化工艺中，在贵金属层表面进一步淀积一层金属Ti层，然后用光刻胶覆盖该金属Ti层。由于金属Ti在HF基腐蚀液中的电化学电势低于结构层...
杨晋玲解婧刘云飞杨富华
文献传递
一种超高真空多功能综合测试系统
本发明公开了一种用于微纳器件表面处理、表面修饰、原位表征的超高真空多功能综合测试系统，包括：第一超高真空室；第二超高真空室，该第二超高真空室与第一超高真空室真空密封连接；常压室，该常压室与第二超高真空室真空密封连接；以及...
杨晋玲刘云飞解婧杨富华
文献传递
大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法
本发明公开了一种大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，该方法是利用光刻胶这种高分子材料来阻断器件的结构层材料与贵金属在HF基腐蚀液中形成原电池的电学通路，具体包括：在SiO<Sub>2</Sub>层的湿法腐...
杨晋玲刘云飞解婧杨富华
文献传递
采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法
本发明公开了一种采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法，该方法包括：步骤1：对衬底进行清洗；步骤2：在衬底上淀积二氧化硅薄膜；步骤3：在淀积有薄膜的衬底上涂敷光刻胶，进行光刻；步骤4：对光刻胶进行减薄处理；步骤...
唐龙娟杨晋玲解婧李艳杨富华
一种超高真空多功能综合测试系统
本发明公开了一种用于微纳器件表面处理、表面修饰、原位表征的超高真空多功能综合测试系统，包括：第一超高真空室；第二超高真空室，该第二超高真空室与第一超高真空室真空密封连接；常压室，该常压室与第二超高真空室真空密封连接；以及...
杨晋玲刘云飞解婧杨富华
大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法
本发明公开了一种大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，该方法是利用光刻胶这种高分子材料来阻断器件的结构层材料与贵金属在HF基腐蚀液中形成原电池的电学通路，具体包括：在SiO<Sub>2</Sub>层的湿法腐...
杨晋玲刘云飞解婧杨富华
采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法
本发明公开了一种采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法，该方法包括：步骤1：对衬底进行清洗；步骤2：在衬底上淀积二氧化硅薄膜；步骤3：在淀积有薄膜的衬底上涂敷光刻胶，进行光刻；步骤4：对光刻胶进行减薄处理；步骤...
唐龙娟杨晋玲解婧李艳杨富华
文献传递
一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法
本发明公开了一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，该方法是在MEMS器件的金属化工艺中，在贵金属层表面进一步淀积一层金属Ti层，然后用光刻胶覆盖该金属Ti层。由于金属Ti在HF基腐蚀液中的电化学电势低于结构层...
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