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唐龙娟

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信电气工程化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇化学工程

主题

  • 8篇淀积
  • 6篇刻蚀
  • 4篇台面刻蚀
  • 4篇硅薄膜
  • 3篇电池
  • 3篇太阳能
  • 3篇太阳能电池
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米阵列
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硅
  • 2篇氮化硅薄膜
  • 2篇氮化物
  • 2篇电流扩展
  • 2篇氧化硅薄膜
  • 2篇阵列
  • 2篇阵列结构
  • 2篇上台
  • 2篇退火
  • 2篇绝缘衬底

机构

  • 13篇中国科学院

作者

  • 13篇唐龙娟
  • 7篇郑新和
  • 5篇杨富华
  • 4篇杨辉
  • 4篇李艳
  • 3篇朱银芳
  • 3篇杨晋玲
  • 3篇张东炎
  • 2篇解婧
  • 1篇周威
  • 1篇董建荣
  • 1篇周美强
  • 1篇杨辉
  • 1篇王辉

传媒

  • 1篇科学通报
  • 1篇第12届全国...

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 7篇2010
  • 1篇2009
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
含有p-GaN纳米阵列的InGaN/GaN双异质结太阳能电池的制作
2011年
提出了一种提高p-GaN/i-InGaN/n-GaN双异质结太阳能电池外量子效率的方法,即将p-GaN刻蚀成纳米阵列结构.我们使用Ni退火形成微结构掩模,通过感应耦合等离子体(ICP)将p-GaN刻蚀纳米阵列结构.同时,提出了两步刻蚀n-GaN台面的制作工艺,以此在形成p-GaN纳米阵列结构时获得光滑的n-GaN层表面,以此改善后续金属电极的沉积.经测试,含有p-GaN纳米阵列结构的电池峰值外量子效率可达55%,比常规p-GaN膜层基InGaN/GaN太阳能电池的外量子效率提高了10%.
唐龙娟郑新和张东炎董建荣王辉杨辉
关键词：太阳能电池外量子效率
采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法
本发明公开了一种采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法，该方法包括：步骤1：对样品进行清洗并预热；步骤2：在样品上淀积氮化硅薄膜；步骤3：对淀积有氮化硅薄膜的样品进行退火。本发明只使用一种功率源，方法简单快捷...
李艳杨富华唐龙娟朱银芳
文献传递
适用于激光共聚焦测量装置的光学窗口片
本实用新型公开了一种适用于激光共聚焦测量装置的光学窗口片，该光学窗口片包括：光学玻片(101)；蒸镀在光学玻片(101)正面的正面增透膜(102)；以及蒸镀在光学玻片(101)背面的背面增透膜(103)。该光学窗口片使用...
杨晋玲周美强周威唐龙娟朱银芳杨富华
文献传递
采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法
本发明公开了一种采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法，该方法包括：步骤1：对衬底进行清洗；步骤2：在衬底上淀积二氧化硅薄膜；步骤3：在淀积有薄膜的衬底上涂敷光刻胶，进行光刻；步骤4：对光刻胶进行减薄处理；步骤...
唐龙娟杨晋玲解婧李艳杨富华
一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法
本发明揭示了一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法，其特征在于包括步骤：先对绝缘衬底上的半导体器件光刻并进行第一次台面刻蚀，形成一阶梯状的样品结构；再在阶梯上方的台面制作微结构掩模层；继而进行第二次台面刻蚀，同时刻...
郑新和唐龙娟杨辉
文献传递
高速射频微机电开关的研究
射频微机电(RF MEMS)开关具有高隔离度、低插入损耗、低功耗、高线性度的优点，且具有尺寸小、工艺与CMOS工艺相兼容、容易集成的优势。本文对静电驱动的串联接触式RF MEMS开关进行了研究，旨在获得适用于雷达及其它通...
唐龙娟
一种Ⅲ族氮化物纳米阵列结构太阳能电池的制作方法
本发明揭示了一种Ⅲ族氮化物纳米阵列结构太阳能电池的制作方法，包括步骤：Ⅰ、对GaN样品台面进行第一次刻蚀，形成台阶状的样品结构；Ⅱ、在台阶上方的p区或n区的台面上制作微结构掩模层并进行第二次台面刻蚀形成纳米柱阵列，同时露...
郑新和唐龙娟杨辉
一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法
本发明揭示了一种改善绝缘衬底上纳米阵列结构器件制作的方法，其特征在于包括步骤：先对绝缘衬底上的半导体器件光刻并进行第一次台面刻蚀，形成一阶梯状的样品结构；再在阶梯上方的台面制作微结构掩模层；继而进行第二次台面刻蚀，同时刻...
郑新和唐龙娟杨辉
文献传递
采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法
本发明公开了一种采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法，该方法包括：步骤1：对样品进行清洗并预热；步骤2：在样品上淀积氮化硅薄膜；步骤3：对淀积有氮化硅薄膜的样品进行退火。本发明只使用一种功率源，方法简单快捷...
李艳杨富华唐龙娟朱银芳
InGaN/GaN纳米柱阵列中的光致发光特性
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术以蓝宝石为衬底在GaN膜上外延生长了厚度为120nm的In0.24Ga0.76N薄膜,并用自组织Ni颗粒作为掩膜结合电感耦合等离子体刻蚀(ICP)形成InGaN/GaN纳米柱.对...
张东炎郑新和唐龙娟王辉董建荣杨辉
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共2页<12>
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