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杜睿

作品数:6 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇隧穿
  • 4篇共振隧穿
  • 4篇共振隧穿二极...
  • 4篇二极管
  • 3篇电子迁移率
  • 3篇迁移率
  • 3篇晶体管
  • 3篇高电子迁移率
  • 3篇高电子迁移率...
  • 3篇RTD
  • 2篇单稳态
  • 2篇双稳
  • 2篇双稳态
  • 2篇转换器
  • 2篇模数转换
  • 2篇模数转换器
  • 2篇进制
  • 2篇二进制
  • 2篇二进制码
  • 2篇编码器

机构

  • 6篇中国科学院

作者

  • 6篇杨富华
  • 6篇杜睿
  • 3篇戴扬
  • 1篇张扬
  • 1篇戴杨

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
共振隧穿二极管D触发器
一种共振隧穿二极管D触发器,包含有:一第一单稳态—双稳态转换逻辑单元;一第二单稳态-双稳态转换逻辑单元;一锁存单元由第一反相器和第二反相器构成,第一反相器的输出接第二反相器的输入端;第二反相器的输出接第一反相器的输入端;...
杜睿杨富华
文献传递
Design of a Frequency Divider with Reduced Complexity Based on a Resonant Tunneling Diode
2008年
A novel edge-triggered D-flip-flop based on a resonant tunneling diode (RTD) is proposed and used to construct a binary frequency divider. The design is discussed in detail and the performance of the circuit is verified using SPICE. Relying on the nonlinear characteristics of RTD,we reduced the number of components used in our DFF circuit to only half of that required using conventional CMOS SCFL technology.
杜睿戴杨杨富华
关键词:RTD
共振隧穿二极管D触发器
一种共振隧穿二极管D触发器,包含有:一第一单稳态-双稳态转换逻辑单元;一第二单稳态-双稳态转换逻辑单元;一锁存单元由第一反相器和第二反相器构成,第一反相器的输出接第二反相器的输入端;第二反相器的输出接第一反相器的输入端;...
杜睿杨富华
文献传递
基于RTD与EHEMT的超高速全并行模数转换器
本发明公开了一种基于共振隧穿二极管与增强型高电子迁移率晶体管的超高速全并行模数转换器,该模数转换器由2<Sup>n</Sup>-1个比较器和n个编码器构成,n为模数转换器的位数;其中,各比较器并联连接,输入各比较器的模拟...
戴扬杜睿杨富华
文献传递
基于RTD与EHEMT的超高速全并行模数转换器
本发明公开了一种基于共振隧穿二极管与增强型高电子迁移率晶体管的超高速全并行模数转换器,该模数转换器由2<Sup>n</Sup>-1个比较器和n个编码器构成,n为模数转换器的位数;其中,各比较器并联连接,输入各比较器的模拟...
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文献传递
InP衬底上集成增强型和耗尽型HEMT的制作方法
本发明提出一种在InP衬底上集成增强型和耗尽型HEMT(高电子迁移率晶体管)的制作方法,此方法适用于需要同时集成增强型HEMT和耗尽型HEMT的InP基集成电路。其特征在于:a)在InAlAs有源层和n<Sup>+</S...
戴扬杜睿张扬杨富华
文献传递
共1页<1>
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