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王永兴

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：武汉工业大学材料科学与工程学院材料科学系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇淀积
  • 2篇晶态
  • 2篇硅薄膜
  • 2篇非晶
  • 2篇非晶硅
  • 2篇非晶态
  • 2篇CVD淀积
  • 1篇电导
  • 1篇电导率
  • 1篇气相淀积
  • 1篇热扩散
  • 1篇甲硅烷
  • 1篇光电
  • 1篇硅烷
  • 1篇非晶硅薄膜
  • 1篇硅
  • 1篇APCVD
  • 1篇CVD
  • 1篇常压

机构

  • 2篇华中理工大学
  • 1篇华中科技大学
  • 1篇武汉工业大学
  • 1篇武汉理工大学

作者

  • 3篇王敬义
  • 3篇王永兴
  • 3篇何笑明
  • 1篇崔万秋
  • 1篇王宇

传媒

  • 2篇华中理工大学...
  • 1篇武汉工业大学...

年份

  • 2篇1991
  • 1篇1990
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
甲硅烷常压CVD淀积非晶硅研究
1991年
本文讨论了以甲硅烷为源,用常压CVD法(APCVD)制备非晶硅的设备改进及工艺优化,提供了一些实验结果.文中着重分析了CVD过程,讨论了在较低温度下获得高淀积速率的原因.
王敬义何笑明王宇王永兴
关键词：非晶硅甲硅烷APCVD淀积热扩散
常压化学气相淀积非晶态硅薄膜的光电特性研究被引量：2
1990年
本文研究了以SiH_4为气源,常压下化学气相淀积(APCVD)非晶态硅薄膜的光电特性及工艺参数的影响。通过与辉光放电a-Si:H膜的光电特性的比较,分析了APCVD a-Si膜的带隙结构和导电机理。
王永兴何笑明王敬义
关键词：非晶态硅电导率气相淀积
常压CVD淀积非晶硅薄膜的研究
1991年
本文应用常压CVD法制备出了α-Si薄膜,它是非晶硅太阳能电池的良好材料。采用X射线衍射、扫描电镜、红外透射谱和X射线光电子能谱对α-Si薄膜的结构和性能进行了研究,并给出了α-Si薄膜的淀积理论模型。
王永兴崔万秋何笑明王敬义
关键词：常压CVD淀积非晶态
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