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蓝宝石衬底上透明Mg_xZn_(1-x)O薄膜的制备及表征: 2010年; 采用射频磁控溅射法在Al_2O_3(001)衬底上制备了高Mg含量的Mg_xZn_(1-x)O薄膜,研究了Mg_xZn_(1-x)O薄膜的结构和光学性能。结果表明:Al_2O_3(001)衬底上Mg_xZn_(1-x)O薄膜的组分为Mg_(0.47)Zn_(0.53)O,薄膜呈六方纤锌矿结构,薄膜沿c轴方向取向生长,且c轴方向晶格增大0.0029 nm。薄膜的吸收边峰值位于292nm,对应的禁带宽度为4.24ev。薄膜平均粒径约为10～20nm,在深紫外-可见光激发下的荧光发射峰分别位于320nm和400nm附近。; 张希艳刘全生王玉霞柏朝晖王晓春孙海鹰; 关键词：射频磁控溅射蓝宝石衬底

1.3μm AlInGaAs Strained Single Quantum Well Laser Diodes with High Characteristic Temperature of 200K被引量：1: 2007年; A high characteristic temperature （T0） of 200K from a 1.3μm AlInGaAs/AlInAs single-quantum-well laser diode with the asymmetric waveguide layer structure under CW operation at 20 to 80℃ was obtained,which is the best result reported in the laser diodes （LDs） of the same active materials structure and emitting wave- length. AllnGaAs as an active layer,therefore,is very promising for the fabrication of long-wavelength LDs with excellent high-temperature performance. It is found that the asymmetric waveguide layer structure can decrease optical absorption and improve the high-temperature performance and catastrophic optical damage threshold of LDs.; 王玉霞刘春玲芦鹏王勇曲轶刘国军

一种制备具有扩散阻挡层Mo的n型GaSb欧姆接触的方法: 本发明是一种制备具有扩散阻挡层Mo的n型GaSb欧姆接触的方法，该方法采用Au/Mo/Au、Ge/Ni/n-GaSb结构，在接触层Au与掺杂层Au、Ge之间加入一层扩散阻挡层Mo，其厚度为60nm-100nm，形成n型G...; 李俊承王跃芦鹏王玉霞李林李再金李占国刘国军; 文献传递

一种基于多环耦合结构的高Q值半导体激光器: 本发明公开了一种基于多环耦合结构的高Q值半导体激光器结构，由多个在半导体激光器外延片上刻蚀的脊形环相互耦合构成，由两个四分之一环耦合输出。该器件结构和工艺属于半导体光电子器件技术领域。本发明利用不同结构环形激光器的不同Q...; 张斯钰乔忠良薄报学高欣曲轶李辉王玉霞李占国芦鹏王勇李特李再金邹永刚李林刘国军

基于Al_xN_y绝缘介质膜的新型窗口大功率半导体激光器被引量：4: 2009年; 提升半导体激光器的腔面抗光学灾变(COD)损伤的能力,改善半导体激光器的工作特性,一直是大功率半导体激光器器件工艺研究的难点。基于薄膜应力使基底半导体材料带隙变化的原理,采用直流磁控溅射方法在不同条件下溅射生成不同内应力的Al_xN_y绝缘介质膜。通过研究大功率半导体激光器腔面退化机理,借助Al_xN_y等应力膜设计制作了一种新型非吸收透明窗口结构的宽条形半导体激光器,使器件平均最大输出功率提高46.5%。垂直发散角达到21°,水平发散角达到6.1°,2000 h加速老化试验,其千小时退化速率小于0.091%。; 乔忠良薄报学么艳平高欣张晶王玉霞刘春玲卢鹏李辉曲轶; 关键词：激光器高功率半导体激光器 ALN 应力

VCSEL发光特性模拟被引量：1: 2013年; 垂直腔半导体激光器(VCSEL)以优于传统的边发射激光器的性能,在很多应用领域已经占据了越来越重要的地位,要很好的研究它的应用价值就必须了解它的特性。本文采用SILVACO仿真软件对VCSEL的发光特性以及热特性进行仿真。得到了一些VCSEL的发光特性和热特性参数,来说明它的实际工作情况。; 刘雪贞王玉霞倪琴菲喻斌张天成严伟; 关键词：VCSEL 发光特性热特性

AlN薄膜的热应力模拟计算被引量：1: 2011年; 本文通过ANSYS有限元分析软件对薄膜的热应力进行了模拟计算,并通过理论计算验证了其合理性。模拟出了薄膜应力值及分布情况,分析了薄膜沉积温度与薄膜厚度对薄膜度应力的影响。从模拟的结果可以看出,薄膜上表面X方向应力主要集中在薄膜中心,边缘应力较小,但边缘的形变较大;薄膜的热应力随着薄膜沉积温度的升高而增大,随着膜厚的增加而减小。; 邹微微王玉霞徐扬张秀; 关键词：热应力 ALN薄膜有限元

一种电镀结合真空镀膜制备Au－Sn合金焊料的方法: Au－Sn合金焊料属于半导体光电子和微电子技术领域。该领域已知技术需要昂贵的真空镀膜设备，耗费大量的贵金属，生产成本很高；完全利用电镀的方法存在电镀液难以配备且容易失效，沉积的金属复合层厚度和均匀性难以控制，烧结时合金焊...; 黄波乔忠良陈金强王玉霞高欣薄报学; 文献传递

一种带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器: 一种带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器属于半导体光电子器件技术领域。该领域已知条形半导体激光器不足之处是输出光束发散角大、发光亮度低等缺点，限制了此类器件在相关领域中的应用。本发明之一种带有模式滤波器的高亮度条形半导...; 乔忠良薄报学张斯玉高欣曲轶芦鹏李占国李辉刘国军李梅王玉霞

光学薄膜制备技术被引量：13: 2004年; 本文综述了光学薄膜制备技术的发展与现状 ,着重介绍了真空蒸镀、离子辅助沉积、离子束溅射等传统与现代技术 ,包括工作原理。; 司磊王玉霞刘国军; 关键词：光学薄膜溅射

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王玉霞