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陈可炜

作品数：4 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇SOI材料
  • 1篇等离子体
  • 1篇低功耗
  • 1篇低功耗电路
  • 1篇低剂量
  • 1篇电路
  • 1篇圆片
  • 1篇深能级
  • 1篇深能级瞬态谱
  • 1篇瞬态
  • 1篇碳化硅
  • 1篇能级
  • 1篇嵌入式
  • 1篇离子注入
  • 1篇霍耳效应
  • 1篇甲烷
  • 1篇功耗
  • 1篇光学
  • 1篇红外
  • 1篇红外光

机构

  • 3篇中国科学院
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 4篇陈可炜
  • 2篇俞跃辉
  • 1篇李炜
  • 1篇徐彦芬
  • 1篇黎传礼
  • 1篇宋朝瑞
  • 1篇王湘
  • 1篇王曦
  • 1篇陈猛
  • 1篇李文钧
  • 1篇陈静
  • 1篇杨文伟
  • 1篇张峰
  • 1篇张峰
  • 1篇郑志宏
  • 1篇邢玉梅

传媒

  • 1篇压电与声光
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2005
  • 2篇2003
  • 1篇2001
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
SIMOX SOI材料红外光学以及电学性能研究
该论文针对SIMOX实际生产过程中出现的质量控制问题和材料性能表征问题,从解决生产实际问题的目的出发,对原始注入的SIMOX红外光学特征、SIMOX的电学性能和SIMOX的Top Si层的电荷输运现象进行了系统的研究;并...
陈可炜
关键词：SIS霍耳效应深能级瞬态谱
文献传递
CH_4+Ar混合等离子体注入新工艺被引量：1
2005年
采用CH4+Ar混合等离子体对p-Si(100)进行剂量为5.0×1017cm-2,能量分别为40keV及80keV的碳离子注入,靶温控制在700°C左右;注入后将样品在1250°C的氩气中退火5h。通过红外反射光谱、掠角X-射线衍射以及剖面透射电镜对退火前后的样品进行分析,其结果证明了结晶质量较好的多晶β-SiC不连续埋层的形成。
邢玉梅俞跃辉陈可炜郑志宏杨文伟
关键词：甲烷等离子体碳化硅离子注入
低功耗电路设计分析优化方法及嵌入式SOI DRAM结构的设计
俞跃辉黎传礼张峰陈可炜李文钧宋朝瑞
该项目建立了一套有效的新功耗建模、估计和优化的方法学。对低功耗CMOS集成电路的设计技术进行了深入的研究。研究表明，将集成电路低功耗设计优化学的方法应用到集成电路的设计过程当中去，可以避免设计者反复验证系统的功耗和性能，...
关键词：
关键词：SOIDRAM低功耗嵌入式
低剂量SIMOX圆片研究
用剖面透射电镜、高分辨电镜以及化学增强腐蚀法和Cu-plating表征了低剂量SIMOX圆片的结构特征.结果显示,选择恰当的剂量能量窗口,低剂量SIMOX圆片表层Si单晶质量好、线缺陷密度低、埋层厚度均匀、埋层硅岛密度低...
陈猛陈静张峰李炜徐彦芬陈可炜王湘刘相华王曦
关键词：SOI材料SIMOX圆片
文献传递
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