您的位置： 专家智库 > >

万景

作品数：57 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 56篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 25篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...

主题

  • 25篇晶体管
  • 17篇绝缘层
  • 17篇绝缘层上硅
  • 15篇纳米
  • 14篇传感
  • 12篇沟道
  • 12篇光电
  • 12篇感器
  • 12篇掺杂
  • 12篇场效应
  • 12篇传感器
  • 11篇金属
  • 10篇正反馈
  • 9篇衬底
  • 8篇纳米压印
  • 7篇栅极
  • 7篇纳米压印技术
  • 7篇金属接触
  • 7篇刻蚀
  • 7篇半导体

机构

  • 57篇复旦大学
  • 2篇华为技术有限...

作者

  • 57篇万景
  • 11篇陆冰睿
  • 11篇陈宜方
  • 9篇屈新萍
  • 7篇周鹏
  • 7篇刘坚
  • 5篇刘冉
  • 5篇蒋玉龙
  • 4篇邓少任
  • 4篇刘书一
  • 4篇陈韬
  • 3篇疏珍
  • 3篇谢申奇
  • 2篇谢辉
  • 2篇张卫
  • 2篇茹国平
  • 2篇高晨
  • 2篇陆叶
  • 1篇张伟
  • 1篇田甜

年份

  • 3篇2024
  • 9篇2023
  • 11篇2022
  • 10篇2021
  • 7篇2020
  • 3篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2013
  • 3篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
共 57 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
基于绝缘层上硅衬底的可调性能光电传感器及其制备方法
本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于绝缘层上硅衬底的可调性能光电传感器及其制备方法。本发明光电传感器包括：混合型衬底，氧化埋层，四个像素有源区，欧姆接触区域，三个顶层硅沟道区,以及在沟道区之上的栅氧化层,栅极，器...
万景刘坚
双晶体管无电容结构动态存储器件及其制备方法
本发明属于存储器技术领域，具体为一种双晶体管无电容结构动态存储器件及其制备方法。本发明存储器件由基于硅衬底的读晶体管与二维材料写晶体管在垂直方向上堆叠而成；其中，通过绝缘层与写晶体管的栅氧化层刻蚀形成上下晶体管互连通道，...
万景肖凯谢辉周鹏包文中
一种半导体场效应正反馈器件
本发明属于半导体场效应管技术领域，具体为一种的半导体场效应正反馈馈器件。本发明器件建立在绝缘层上硅的衬底上，器件的阴极和阳极为反型重掺杂，即一方为p+型而另一方为n+型掺杂，而沟道为不掺杂或者低掺杂。临近沟道的是被栅极侧...
万景邓嘉男邵金海陆冰睿陈宜方
一种晶体管、集成电路以及电子设备
本申请的实施例提供了一种晶体管、集成电路以及电子设备，涉及半导体技术领域，能够降低晶体管的亚阈值摆幅。上述的晶体管包括：衬底；衬底上沿平行于衬底的第一方向依次设置有第一源区、第二源区、沟道以及漏区；沟道上设置有绝缘层；绝...
陆叶万景吴振华陈颖欣许俊豪侯朝昭吴颖董耀旗王嘉乐
一种半导体光电传感器
本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种半导体光电传感器。本发明传感器建立在绝缘层上硅的衬底上，器件的源漏为反型掺杂，即一方为p型而另一方为n型掺杂，而沟道为不掺杂或者低掺杂。沟道区域只有一部分为正栅极覆盖，而衬底作为背...
万景邓嘉男邵金海陆冰睿陈宜方
文献传递
基于体硅衬底的新型半导体场效应正反馈晶体管及方法
本发明公开一种基于体硅衬底的新型半导体场效应正反馈晶体管及方法，其源漏为反型重掺杂，一方为p+型，另一方为n+型掺杂，沟道为弱掺杂，临近沟道的是由栅极侧墙所定义的低漏极掺杂区域(LDD)，而衬底是与沟道反型的掺杂；传统的...
万景
文献传递
三层结构纳米压印及其在模板复制和硅纳米线传感器制备中的应用
纳米压印光刻技术作为下一代光刻技术中的热门研究方法之一,由于其具有成本低廉、光刻效率高以及光刻分辨率高等优点,受到了人们的极大重视。　　 硅纳米线传感器因其半导体工艺兼容性好、生物兼容性好和灵敏度高等诸多优点,目前广泛...
万景
关键词：纳米压印硅纳米线气体传感器
文献传递
一种基于软模板纳米压印技术的硅纳米线制作方法
本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种基于软模板纳米压印技术的硅纳米线的制作方法。其步骤包括：在原始模板上淀积并烘烤二层胶体，并揭下作为软压印模板。在表面为硅层的衬底上旋涂一层光刻胶并前烘，使用前面得到的软模板进行压印，...
高晨屈新萍邓少任万景刘冉陈宜方
一种复制纳米压印模板的方法
本发明属于纳米压印技术领域，具体为一种复制纳米压印模板的方法。其步骤包括：在衬底上旋涂并前烘双层胶，衬底是硅、二氧化硅或者玻璃等，上层为SU8胶，下层为LOR胶，经过压印或者是压印结合曝光处理，原始模板上的图形转移到SU...
万景屈新萍谢申奇陆冰睿疏珍刘冉陈宜方
文献传递
一种纳米金颗粒修饰的伪MOS生化分子传感器及其制备方法
本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种纳米金颗粒修饰的伪MOS生化分子传感器及其制备方法。本发明的伪MOS生化分子传感器包括衬底、氧化埋层、沟道、纳米金颗粒、生物分子或化学分子；衬底、氧化埋层和沟道共同组成伪MOS结构...
万景王海华
文献传递
全选 清除 导出
共6页<123456>
聚类工具0