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智婷

作品数:32 被引量:5H指数:1
供职机构:南京大学更多>>
发文基金:江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 29篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程

主题

  • 6篇纳米
  • 5篇有源层
  • 5篇制冷
  • 5篇流体
  • 4篇电极
  • 4篇多量子阱
  • 4篇制冷机
  • 4篇热流体
  • 4篇蓝宝
  • 4篇蓝宝石
  • 4篇激光
  • 4篇INGAN/...
  • 3篇等离激元
  • 3篇蓄冷
  • 3篇室温磁制冷
  • 3篇纳米激光器
  • 3篇金刚石
  • 3篇晶格
  • 3篇晶格失配
  • 3篇激光器

机构

  • 32篇南京大学

作者

  • 32篇智婷
  • 24篇陶涛
  • 23篇刘斌
  • 18篇谢自力
  • 16篇张荣
  • 11篇陈鹏
  • 9篇郑有炓
  • 8篇韩平
  • 8篇修向前
  • 8篇施毅
  • 6篇陈敦军
  • 6篇卢定伟
  • 5篇龚元元
  • 3篇赵红
  • 3篇庄喆
  • 3篇李毅
  • 2篇郭旭
  • 2篇葛海雄
  • 2篇王轩
  • 2篇苗涛

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2024
  • 4篇2023
  • 3篇2022
  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 4篇2015
  • 1篇2014
  • 5篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
32 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
GaN基纳米阵列LED器件制备及发光特性被引量:5
2016年
为了降低GaN材料中因应变诱导的量子斯托克斯效应,增加器件有源区内的电子-空穴波函数在实空间的交叠从而提高GaN基LEDs的发光效率,采用紫外软压印技术制备了均匀的周期性纳米柱阵列结构,结合常规LED器件微加工技术获得了In GaN/GaN基蓝光与绿光纳米阵列LED器件并对其进行了表征分析。结果表明:纳米柱阵列LED器件具有均匀的发光和稳定的光电性能。纳米结构不仅有效缓解了量子阱中的应力积累(弛豫度~70%),提高了器件的辐射复合几率和出光效率,同时结合纳米柱侧壁的化学钝化处理进一步降低了器件有源区的缺陷密度,显著降低了LED器件的漏电流(~10-7),最终提高了器件的发光效率。
智婷陶涛刘斌庄喆谢自力陈鹏张荣郑有炓
关键词:INGAN/GAN发光二极管纳米压印
GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器及其制备方法
本发明公开了一种GaN基金属‑超薄氧化物‑半导体的复合结构纳米激光器,由基片和InGaN/GaN量子阱纳米柱组成,基片结构依次包括:SiO<Sub>2</Sub>‑Si衬底、金属层、超薄氧化物层;所述InGaN/GaN量...
刘斌陶涛智婷张荣谢自力陈鹏陈敦军韩平施毅郑有炓
文献传递
交流电场驱动条件下具有电场增强作用的GaN基纳米LED结构
本发明公开了一种交流电场驱动条件下具有电场增强能力的GaN基纳米LED结构,所述GaN基纳米LED结构形成贯穿ITO层、p型GaN层、多量子阱有源层、n型GaN层,深至GaN缓冲层的纳米柱结构,所述纳米柱结构在多量子阱有...
陶涛赵瑞智婷严羽谢自力刘斌
铁薄膜在辅助剥离金刚石多晶薄膜中的应用
本发明公开了铁薄膜在辅助剥离金刚石多晶薄膜中的应用,具体为在蓝宝石衬底上生长铁薄膜,在铁薄膜上生长金刚石多晶薄膜,采用机械剥离的方式将金刚石多晶薄膜从蓝宝石衬底上剥离。可以使金刚石多晶薄膜无碎裂的从蓝宝石衬底上剥离。本发...
陶涛郑凯文张东祺智婷谢自力刘斌
一种连续视角micro-LED裸眼3D显示装置及其显示方法
本发明公开了一种连续视角micro‑LED裸眼3D显示装置及其显示方法,该装置包括空间立体排布的micro‑LED阵列光源和与光源位置相匹配的立体排布的定向散射屏。所述立体排布的micro‑LED阵列光源包括在沿中心垂线...
陶涛黄锦鹏智婷庄喆刘斌
ICP刻蚀GaN基多量子阱制备纳米阵列图形的方法
ICP刻蚀GaN基多量子阱制备纳米阵列图形的方法,包括以下步骤:取一衬底,衬底的材料为硅、蓝宝石或氮化镓;在衬底依次外延生长GaN缓冲层,n型GaN层、InGaN/GaN量子阱层和P型GaN,形成初步的GaN基片;量子阱...
张荣智婷陶涛谢自力万图图叶展圻刘斌修向前李毅韩平施毅郑有炓
文献传递
一种布拉格反射镜增强InGaN电极、制备与利用
本发明涉及一种分布布拉格反射镜增强InGaN的电极,在衬底从下至上依次包括GaN层、厚度50nm-5um,InGaN层、10nm-1um,从InGaN层暴露出的部分GaN层上设有n电极;衬底另一面为DBR层;所述DBR层...
张荣陶涛智婷谢自力刘斌陈鹏修向前韩平施毅郑有炓
文献传递
基于III族氮化物半导体的Micro-LED阵列器件及其制备方法
本发明公开了一种基于III族氮化物半导体的Micro‑LED阵列器件,刻蚀形成贯穿p型GaN层、量子阱有源层,深至n型GaN层的阵列式扇形台面结构,p型阵列电极,蒸镀在扇形阵列的p型GaN层上,n型阵列电极,蒸镀在n型G...
陶涛王轩许非凡刘斌智婷张荣
文献传递
基于AFR的室温铁电制冷机
本发明涉及一种铁电制冷机,具体涉及一种旋转式主动回热(或称蓄冷)室温铁电制冷机。本发明中的旋转式铁电制冷机包括传动装置、由传动装置带动的被分为偶数个工质床格的铁电工质床、换热流体、换热流体流向控制阀门。因为铁电工质在周期...
卢定伟智婷龚元元
文献传递
交流驱动型背光源在表征薄膜样品表面形貌中的应用和薄膜表面形貌的表征系统
本发明公开了交流驱动型背光源在表征薄膜样品表面形貌中的应用。还公开了一种薄膜表面形貌的表征系统,包括输入区组件、测试区组件和输出区组件,以及相应的薄膜表面形貌的表征方法。本发明可以实现在无探针接触、无电流注入的情况下对薄...
陶涛洪永升孙天娇杨书杰智婷严羽刘斌
共4页<1234>
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