朱荣锦
- 作品数：11 被引量：39H指数：4
- 供职机构：华东师范大学信息科学技术学院更多>>
- 发文基金：国家杰出青年科学基金国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程电气工程更多>>
- 悬臂式RF MEMS开关的设计与研制被引量：14
- 2003年
- 介绍了一种制作在低阻硅 (3～ 8Ω· cm)上的悬臂式 RF MEMS开关 .在 Cr/ Au CPW共面波导上 ,金 /Si Ox Ny/金三明治结构或电镀金作为悬置可动臂 ,静电受激作为开关机理 .当开关处于“关断”态 ,其隔离度小于- 35 d B(2 0～ 4 0 GHz) ;阈值电压为 13V ;开关处于“开通”态 ,插入损耗为 4～ 7d B(1～ 10 GHz) ,反射损耗为 - 15 d B.另外 ,还分析了开关的悬臂梁弯曲度与驱动电压的关系 ,并应用 ANSYS软件对开关进行了电学。
- 郭方敏赖宗声朱自强贾铭初建朋范忠朱荣锦戈肖鸿杨根庆陆卫
- 关键词：悬臂梁插入损耗隔离度ANSYS软件
- 新型MEMS集成技术-高频开关及其功能电路集成研究
- 郭方敏赖宗声朱自强朱守正范忠朱荣锦龙永福忻佩胜杨震魏华征郑莹初建朋陈薇萍王伟明虞献文
- 该课题为华东师范大学的几个研究成果有分析和设计了由一组电容式开关和一组电感串、并联形成的相位连续可调，毫米波多位开关阵微机械移相器；研制的MEMS毫米波（开关阵列）移相器，用中国科学院上海微系统和信息技术研究所的Casc...
- 关键词：
- 关键词：MEMSRF开关移相器
- 压控式毫米波MEMS移相器的可动薄膜被引量：2
- 2003年
- 介绍了采用金、铝硅合金等金属分别用作压控式 RF MEMS开关阵列——移相器的可动薄膜 ,实验表明金的延展性比较好 ,弹性比铝硅合金稍差 ,启动电压较高 .相比较含硅 4%的轻质量铝硅合金具有较低的启动电压( 5 V ) ,用该弹性膜制备的 2 1桥压控式开关阵列——毫米波移相器的下拉电压为 2 0 V时 ,相移量可达到 3 70°/3 .5 mm以上 ( 3 5 GHz) ,并能在不同的控制电压下根据要求改变相移量 ,其传输损耗为 5 5～ 90°/ d B。
- 郭方敏朱自强赖宗声朱守正朱荣锦忻佩胜范忠贾铭程知群杨根庆
- 关键词：MEMS开关移相器铝硅合金
- 多孔硅的干燥方法被引量：6
- 2003年
- 研究了多孔硅的阴极还原表面处理技术 ,通过该技术获得了表面平滑度良好、稳定度高、抗压强度高和耐高温性能好且在空气中可以长期干燥保存的多孔硅样品 .在其表面上可以进行光刻、镀金等工艺 ,因此 。
- 虞献文朱荣锦朱自强应桃开李爱珍
- 关键词：多孔硅阴极还原
- MEMS悬臂式开关的失效分析被引量：7
- 2004年
- 介绍了一种表面微机械系统开关 ,悬臂材料为Au SiOxNy Au铬金作为电欧姆接触。用静电激励 (激励电压为 1 3V)方式 ,测试其隔离度。获得结果为微机械开关在 1～ 4 0GHz的范围内隔离度可高达 35dB。我们采用对开关施加激励方波脉冲的方法测试寿命。结果寿命接近 1 0 5,应用ANSYS对几种不同的MEMS射频接触悬臂开关模型进行了力电耦合分析和失效机理。
- 徐欣郭方敏葛羽屏李成诗于绍欣朱荣锦赖宗声朱自强王跃林陆卫
- 关键词：驱动电压ANSYS
- 接触式MEMS开关寿命测试的方法和仪器
- 一种接触式MEMS开关寿命测试的方法和仪器。该方法利用连续方波脉冲信号驱动被测接触式MEMS开关的上、下电极，在该开关有开关动作时，计数器计数连续方波脉冲信号的脉冲个数，直至该开关疲劳失效，无开关动作时，计数器停止计数，...
- 朱荣锦郭方敏朱自强李存诗赖宗声
- 文献传递
- 相位连续可调毫米波MEMS移相器的研制被引量：3
- 2004年
- MEMS毫米波相移器是MEMS毫米波相控阵天线的关键部件之一,它的性能直接决定了毫米波相控阵天线的性能。该文介绍毫米波MEMS相移器的设计,研究低损耗衬底,Au,AlxSi1-x可动膜对下拉电压和传输损耗的影响,测试表明:21桥相位连续可调的分布式压控开关阵列一毫米波相移器在35GHz时,启动电压5V,20V时相移量达到372°/3.5 mm,并能在不同的控制电压下根据要求改变相移量。
- 郭方敏朱守正魏华征郑莹朱荣锦忻佩胜朱自强赖宗声杨根庆陆卫
- 关键词：MEMS传输损耗插入损耗启动电压
- 偏置电压对射频/微波MEMS电容开关寿命的影响被引量：3
- 2004年
- 理论分析了影响射频/微波MEMS电容开关寿命的因素:介质内的电场强度和可动薄膜对介质膜的冲击速度。用三种不同的偏置电压,对介质内电场强度和可动薄膜对介质膜的冲击速度进行了数值分析和比较。提出了在脉冲电压作用下,可得到可动薄膜对介质膜最小的冲击速度和介质内的最小电场强度,从而极大地提高MEMS电容开关运行的可靠性和寿命。实验验证了上述结论。
- 龙永福石艳玲赖宗声朱自强朱荣锦忻佩胜李炜
- 关键词：偏置电压电场强度
- Si/SiO_2系统电荷对高阻硅基CPW传输损耗的影响被引量：1
- 2007年
- 通过高频C-V测试得到实验制备的共平面波导(CPW)下方的Si/SiO2系统电荷主要表现为正电荷,其密度约为4.8×1010/cm2。三种不同衬底上50Ω共平面波导分别为直接制备于高阻硅上、高阻硅氧化层上、去除信号线与地线间的高阻硅氧化层上。20GHz时,测得上述三种CPW的微波传输损耗分别为-0.88dB、-2.50dB及-1.06dB,因此去除线间氧化层使得传输线损耗降低了1.44dB。此外还测试了高阻硅氧化层和除去线间氧化层的高阻硅氧化层上的两种CPW的传输损耗随外加偏压的变化。
- 徐钰石艳玲沈迪胡红梅忻佩胜朱荣锦刘赟蒋菱
- 关键词：共平面波导
- 光电传感器读出电路的参数可调控制研究被引量：4
- 2008年
- 基于电容反馈互导放大器和相关双采样结构的读出电路原理,分析了电路中控制信号的时序关系,设计了参数可调的时序控制电路。应用Cadence进行电路仿真和版图设计优化,通过流片、测试,证明参数可调的时序控制电路能有效调节参数,易于控制,适用于具有该读出结构的读出电路。
- 詹国钟郭方敏黄静朱荣锦
- 关键词：相关双采样光电探测器读出电路时序控制电路
