王中文
- 作品数：31 被引量：67H指数：5
- 供职机构：辽宁大学更多>>
- 发文基金：辽宁省教育厅高等学校科学研究项目国家自然科学基金沈阳市科技局资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术天文地球更多>>
- 一种识别交通灯的智能拐杖
- 一种识别交通灯的智能拐杖，包括拐杖本体和设置在拐杖上的电子器件，所述的电子器件包括设置在拐杖上部前端的交通灯识别模块、设置在拐杖上表面的按钮开关、设置在拐杖上部后端的电源模块、设置在拐杖杆体的显示模块、主控模块、语音播放...
- 许超唐昊李彤李宾王中文
- 文献传递
- VDMOSFET特征导通电阻的数学模型被引量：3
- 2004年
- 对六角形单胞VDMOSFET的特征导通电阻建立了一种新的数学模型—等效截面模型。给出了特征导通电阻与器件的横向、纵向结构参数的关系,并将计算结果与常规模型和实际测量值进行了比较,与实验结果符合得很好。
- 高嵩石广源王中文
- 关键词：VDMOSFET特征导通电阻数学模型
- 基于太阳能供电的一体两面式外卖存储柜
- 本实用新型涉及一种基于太阳能供电的一体两面式外卖存储柜，包括柜体和智能控制系统，柜体由两个以上的外卖箱格、检修箱格和控制箱格组成，其中每个外卖箱格的前后分别设有由智能控制系统控制的开启门扇，控制箱格的前后面分别设计为对称...
- 许超韩旭唐昊刘忠义王中文李宾
- VDMOSFET的最佳设计被引量：2
- 2004年
- 以正方形单胞为例,较系统的分析了VDMOSFET的物理机制及其工作原理,并通过大量计算找出多晶硅窗口区尺寸Lw和多晶硅尺寸Lp的最佳设计比例,阐述了器件的最佳化设计思想.
- 王中文
- 关键词：VDMOSFET特征导通电阻
- 一种用于高温环境内使用的压紧装置
- 本实用新型涉及一种用于高温环境内使用的压紧装置，在支座的竖直支撑臂上螺纹连接丝杆，在丝杆的一端穿过挡片后与螺母连接；在支座的顶部设有水平梁，水平梁的端部通过销轴连接L型压板的上方，L型压板的底部为弧形面，弧形面的外圆周与...
- 王中文康大为许超付强尹飞飞王卓越
- 文献传递
- 烧结工艺对可控硅参数的影响
- 1998年
- 本文讨论了烧结工艺对可控硅参数的影响，并对存在的问题进行分析，通过对烧结工艺的改进，使工艺中存在的一些问题得到了解决，从而提高了产品的合格率．
- 王中文石广元
- 关键词：欧姆接触可控硅
- 未知掺杂MOS结构少子产生寿命空间分布研究
- 1997年
- 本文采用线性扫描法测定未知掺杂ＭＯＳ结构少子产生寿命空间分布，结果表明。
- 孙玉芳盛浩然王中文尚世琦张文胡延年吕品吴春瑜
- 关键词：少子产生寿命半导体器件MOS器件
- 电阻栅MOSFET电流模型分析
- 1997年
- 本文以普通长沟道ＭＯＳＦＥＴ的电流模型为基础，推导出ＲＧ—ＭＯＳ－ＦＥＴ一级近似下电流模型的解析表达式．并对其物理机制进行了分析讨论．
- 尹光石广元王中文
- 关键词：电流模型场效应晶体管
- 高激发功率密度与真空条件下的反斯托克斯发光过程
- 2013年
- 通常上转换机制大体可归纳为三类:1) 基态与激发态的步进吸收过程;2) 掺杂离子间的能量传递型上转换;3) 光子雪崩型上转换,这些跃迁过程都发生在带间掺杂稀土离子的4fN^4fN组态之间。在高激发功率密度与真空条件下,稀土氧化物发生了一类特殊的上转换过程,在激发发射机制上不同于上述已知的上转换形式。光子数拟合和光电导测量结果表明这是一种带隙激发过程,激发过程始于稀土离子基态,经多光子过程到达导带;电子由导带的退激发过程导致了起源于电荷迁移态、带间能级辐射跃迁、激子复合等多种发光过程,加上光致黑体辐射形成了具有多种发光起源的混合反斯托克斯发射,在光谱上表现为宽带连续强发射。因此发光机制是掺杂离子(激发态过程)与基质(带隙激发)体系的整体协同激发发射过程,分立发光与复合发光两类不同的发光机制中的各种形式,都参与了这种特殊的上转换激发发射过程。激发功率密度、激活离子掺杂浓度、样品所处环境的真空度以及基质带隙宽度,是实现这种近红外激发下的反斯托克斯发射的关键实验条件。在功率密度为50 W/cm2的1 W 980 nm近红外激发下,能量转化率可达10%以上,亮度可达100,000 cd/m2,流明效率达到15 lm/W,色度可通过对真空度、激发功率密度及掺杂浓度等实验参数来连续调配。这类特殊的反斯托克斯过程不仅在机制分析和新掺杂体系尝试两方面有大量的理论和实验工作值得深入挖掘拓展,在应用方面还有开发特种需求的高亮度白光点光源,非接触型气压传感器的潜在价值。
- 王绩伟卢雪梅刘兴辉范晓星王中文梁雅秋谭天亚梅勇刘忠坤郝建华TannerPeter A.
- 关键词：真空多光子过程
- 无线通信领域中自动增益控制电路的研究被引量：3
- 2007年
- 分析了自动增益技术原理,以及实现自动增益控制(AGC)电路的两种基本方法,概括了这两种方法在噪声和线性方面的区别.并给出了它们各自三阶互调失真的表达式,最后又对AGC放大器和乘法器进行了分析和比较.通过对AGC基本电路的分析和比较,为实际的AGC电路的设计打下了基础.
- 王中文孙延辉石广源
- 关键词：三阶互调失真噪声
