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胡又凡

作品数：12 被引量：4H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：一般工业技术自动化与计算机技术理学文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 8篇纳米
  • 6篇碳纳米管
  • 6篇纳米管
  • 4篇感器
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 3篇电极
  • 3篇电路
  • 3篇纳米材料
  • 3篇金属
  • 3篇晶体管
  • 3篇CMOS电路
  • 3篇场效应
  • 3篇场效应晶体管
  • 2篇电子器件
  • 2篇栅电极
  • 2篇全加器
  • 2篇微加工
  • 2篇逻辑单元
  • 2篇纳电子器件

机构

  • 12篇北京大学
  • 2篇钱塘科技创新...

作者

  • 12篇胡又凡
  • 5篇陈清
  • 5篇王胜
  • 5篇彭练矛
  • 5篇张志勇
  • 5篇梁学磊
  • 3篇姚昆
  • 2篇姚琨
  • 1篇高旻

传媒

  • 1篇电子显微学报

年份

  • 3篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2016
  • 1篇2011
  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
低功函数电极、半导体器件及其制备方法
本公开提供了一种低功函数电极、半导体器件及其制备方法。本公开的低功函数电极，包括：低功函数材料层和保护层；其中，保护层通过在低功函数材料层之上沉积具有化学惰性或自限制氧化特性的材料而形成；低功函数材料层通过在衬底层上沉积...
胡又凡龙冠桦蔡翔樊晨炜
基于碳纳米管的瞬态场效应晶体管及制备方法、集成器件
本公开提供了一种基于碳纳米管的瞬态场效应晶体管，包括：衬底，所述衬底由环境可降解材料形成；沟道区，所述沟道区的沟道材料为碳纳米管；栅介质层，所述栅介质层的材料为金属氧化物；栅电极，所述栅电极的材料为铝；以及源电极和漏电极...
胡又凡夏梵
文献传递
摩擦发电装置、自供电传感器及能量提供装置
本公开提供一种具有恒定固有电容的摩擦发电装置，包括：摩擦对，包括相对设置的第一摩擦层和第二摩擦层，第一摩擦层和第二摩擦层由不同材料制成；以及电极对，包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极隔离设置，并且第一电极和第二电...
胡又凡甘蓝月
柔性应变传感器及其制备方法
本公开提供了一种柔性应变传感器及其制备方法。本公开实施例的柔性应变传感器包括：衬底、导电层和封装层，导电层由两个或两个以上的异种金属叠层堆叠而成，每个异种金属叠层包括第一金属层和第二金属层，第二金属层形成于第一金属层之上...
胡又凡王婉仪
一种基于半导体纳米材料的CMOS电路及其制备
本发明提出了一种简单的完全不采用掺杂在一维半导体纳米材料上实现高性能CMOS电路的制备和集成的方法。本发明的CMOS电路中的p型场效应晶体管是通过控制高功函数的金属电极直接与碳纳米管或其它一维半导体纳米材料的价带交换电子...
彭练矛梁学磊陈清张志勇王胜胡又凡姚昆
文献传递
基于一维纳米材料的电学输运特性研究
由于一维材料自身所具有的各种特殊性能，各种各样的纳米管、纳米线吸引了越来越多的研究者，促使大家探索这些新型材料在各种领域里的应用。在本篇论文中主要研究了非晶碳纳米管、单壁碳纳米管以及氧化锌纳米线的电学输运特性，主要的结果...
胡又凡
关键词：一维纳米材料单壁碳纳米管氧化锌纳米线
一种碳纳米管纳电子器件及其制备方法
本发明提出了一种实现碳纳米管与金属电极间高性能接触的方法，由此得到具有稳定得高性能碳纳米管纳电子器件。本发明的以碳纳米管为基的纳电子器件采用金属钪作为与碳纳米管连接的电极。通过各种微加工技术把金属钪与碳纳米管连接起来即可...
梁学磊张志勇王胜姚琨胡又凡陈清彭练矛
文献传递
一种基于半导体纳米材料的CMOS电路及其制备
本发明提出了一种简单的完全不采用掺杂在一维半导体纳米材料上实现高性能CMOS电路的制备和集成的方法。本发明的CMOS电路中的p型场效应晶体管是通过控制高功函数的金属电极直接与碳纳米管或其它一维半导体纳米材料的价带交换电子...
彭练矛梁学磊陈清张志勇王胜胡又凡姚昆
文献传递
碳纳米管材料和碳纳米管基器件的扫描电镜成像被引量：4
2007年
本文探讨了在扫描电镜中单壁碳纳米管的成像问题。一般情况下碳纳米管的像衬度随入射电子能量,扫描速度,样品基底和环境而变,情况非常复杂。但在一定厚度的SiO2绝缘基底上且与金属电极相连的单壁碳纳米管的成像机理则相对简单。单壁碳纳米管像衬度的贡献主要来源于二次电子而不是背散射电子。像衬度产生的机理主要为SiO2绝缘基底在成像过程中的电荷积累导致的表面电势的变化对于碳纳米管以及周围SiO2基底二次电子发射效率的影响。
彭练矛王胜梁学磊张志勇姚昆胡又凡高旻陈清
关键词：扫描电子显微镜碳纳米管
基于碳纳米管的瞬态场效应晶体管的CMOS电路及制备方法
本公开提供了一种基于碳纳米管的瞬态场效应晶体管的CMOS电路，包括：衬底，所述衬底由环境可降解材料形成；沟道区，所述沟道区的沟道材料为碳纳米管；栅介质层，所述栅介质层的材料为金属氧化物；栅电极，所述栅电极的材料为铝；以及...
胡又凡夏梵
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