张进诚
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- 电磁加热装置
- 本发明公开了一种电磁加热装置，主要解决半导体衬底加热不均匀问题。该装置包括发热体和线圈，线圈(5)缠绕在发热体(1)的外部，发热体(1)上开有环形槽(6)，以改变热传导方向。当线圈中通入交变电流时，发热体上的环形槽(6)...
- 郝跃李志明张进诚白俊春
- 文献传递
- 采用AlN绝缘栅的AlGaN/GaN凹栅槽结构MISHEMT器件
- 2012年
- 本文通过射频磁控反应溅射实现高质量的AlN绝缘栅层,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀出凹栅槽结构,将MIS结构和凹栅槽结构的优点相结合,研制成功AlGaN/GaN凹栅槽结构MIS HEMT器件,在提高器件栅控能力的同时,降低栅极漏电,提高击穿电压。器件栅长0.8μm,栅宽60μm,测得栅压为+5V时最大饱和输出电流为832mA/mm,最大跨导达到210mS/mm,栅压为-15V时栅极反向漏电为6nA/mm。
- 黄俊张宗贤黄峰魏珂刘新宇郝跃张进诚
- 关键词：ALGAN/GANALN
- ICP刻蚀损伤对n-Ga N-Ni/Au肖特基接触特性的影响
- 2007年
- 通过电流-电压法(I-V),电容-电压法(C-V)对n-GaN材料的ICP(感应耦合等离子体)刻蚀样品和未刻蚀样品上的肖特基势垒二极管的电学特性进行了分析。利用原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)对刻蚀样品的表面形貌,以及退火前后肖特基接触金属的表面形貌变化进行了研究。试验表明,ICP刻蚀会在GaN表面引入损伤,形成电子陷阱能级从而引起肖特基二极管的势垒高度降低,理想因子增大,反向泄漏电流增大。刻蚀样品在400℃热退火可以恢复二极管的电特性,退火温度到600℃时二极管特性要好于未刻蚀的样品。
- 刘杰王冲冯倩张进诚郝跃杨艳龚欣
- 关键词：感应耦合等离子体肖特基接触刻蚀损伤
- 电磁加热装置
- 本发明公开了一种电磁加热装置，主要解决半导体衬底加热不均匀问题。该装置包括发热体和线圈，线圈(5)缠绕在发热体(1)的外部，发热体(1)上开有环形槽(6)，以改变热传导方向。当线圈中通入交变电流时，发热体上的环形槽(6)...
- 郝跃李志明张进诚白俊春
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