您的位置: 专家智库 > >

白俊春

作品数:6 被引量:9H指数:2
供职机构:西安电子科技大学技术物理学院更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇MOCVD
  • 2篇淀积
  • 2篇热传导
  • 2篇阻断
  • 2篇温度分布
  • 2篇环形槽
  • 2篇发热体
  • 2篇CFD
  • 2篇GAN
  • 1篇有限元
  • 1篇有限元分析
  • 1篇数值仿真
  • 1篇数值模拟
  • 1篇片式
  • 1篇温度场
  • 1篇晶格
  • 1篇晶格常数
  • 1篇红外
  • 1篇仿真
  • 1篇薄膜生长

机构

  • 6篇西安电子科技...

作者

  • 6篇白俊春
  • 3篇李培咸
  • 3篇郝跃
  • 3篇李志明
  • 2篇张进诚
  • 2篇杜阳
  • 1篇胡莹璐
  • 1篇周小伟
  • 1篇李丁玮
  • 1篇刘红才
  • 1篇吴丽敏

传媒

  • 3篇电子科技

年份

  • 2篇2012
  • 4篇2009
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
电磁加热装置
本发明公开了一种电磁加热装置,主要解决半导体衬底加热不均匀问题。该装置包括发热体和线圈,线圈(5)缠绕在发热体(1)的外部,发热体(1)上开有环形槽(6),以改变热传导方向。当线圈中通入交变电流时,发热体上的环形槽(6)...
郝跃李志明张进诚白俊春
文献传递
基于MOCVD生长的高Al组分Al_xGa_(1-x)N的HRXRD研究被引量:2
2009年
通过MOCVD设备,在c面蓝宝石衬底上异质外延了不同Al组分含量的AlxGa1-xN材料,生长过程中采用了低温缓冲层技术、脉冲原子外延技术(PALE)和多层超晶格缓冲技术,例如AlGaN/AlNSLs结构,成功得到了表面光滑无裂纹的AlxGa1-xN膜。并且通过HRXRD对材料进行了多个晶面方向上的摇摆曲线和2θ~ω表征测试,在此测试基础上对材料的Al组分、a轴和c轴的晶格常数以及位错密度进行了相应的计算,并定性的分析了材料的应变状态。
杜阳李培咸周小伟白俊春
关键词:ALXGA1-XNHRXRD晶格常数
电磁加热装置
本发明公开了一种电磁加热装置,主要解决半导体衬底加热不均匀问题。该装置包括发热体和线圈,线圈(5)缠绕在发热体(1)的外部,发热体(1)上开有环形槽(6),以改变热传导方向。当线圈中通入交变电流时,发热体上的环形槽(6)...
郝跃李志明张进诚白俊春
文献传递
GaN-MOCVD系统反应室的CFD模拟研究
金属有机化学气相沉积技术是制备微电子和光电子器件的关键技术,特别是在制备GaN基蓝光LED方面具有广泛的应用前景和市场需求。随着产业规模加大,国际间加强了技术保密和封锁,而我国现阶段MOCVD设备研制尚处于起步阶段,很多...
白俊春
关键词:GANMOCVDCFD模拟薄膜生长
文献传递
GaN-MOCVD系统反应室流场的数值仿真被引量:5
2009年
针对某高校自主研发的120型GaN-MOCVD系统反应室的流场,进行了计算流体力学(CFD)数值模拟。在模拟过程中,讨论分析了运行参数和反应室结构尺寸的变化对反应室内流场、压力场和温度场的影响及对工艺条件的优化。模拟结果表明,数值仿真对MOCVD设备的结构设计及调试运行具有重要的指导和辅助作用。
白俊春李培咸郝跃杜阳
关键词:CFD数值模拟
MOCVD片式红外辐射系统调节曲线的仿真与分析被引量:1
2012年
以片式红外加热的MOCVD反应室为研究对象,应用二位数学模型进行了有限元分析和计算,具体研究了加热器调节的依据——调节曲线的峰值变化情况。通过计算表明,片式加热器加热系统在石墨盘上的调节曲线峰值变化与加热器的加热功率、水平位置和大小有很密切的关系,文中解释了峰值移动的内在原因。得出设计加热器一些原则:加热器越多调节越灵活;外圈加热器最大加热功率要大于内圈加热器;最外圈加热器宜小。研究结果对MOCVD反应室加热系统设计以及在实际生产中的加热条件优化提供了参考。
胡莹璐李培咸李志明吴丽敏刘红才李丁玮白俊春
关键词:MOCVD有限元分析温度场
共1页<1>
聚类工具0