李志明
- 作品数：12 被引量：19H指数：3
- 供职机构：济南大学信息科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- 金属有机化学气相沉积反应室磁场数值分析
- 2019年
- 针对金属有机化学气相沉积(MOVCD)反应室中因感生电流的集肤效应而导致衬底温度分布不均匀,从而影响生长薄膜质量的问题,通过对电磁加热式MOCVD反应室建立数值仿真模型,分析电流强度和电流频率对磁场分布和焦耳热分布的影响,同时对不同材料组成的基座结构中的磁场分布和焦耳热分布进行研究。结果表明:磁场分布和焦耳热分布不随电流强度的改变而改变,但磁场和焦耳热的数值与电流强度成正比;磁场分布、焦耳热分布和数值随着电流频率的变化而变化,数值与电流频率成正比,且随着电流频率的增大,趋肤效应越明显;改变组成基座的材料组成可以改变基座中焦耳热分布,从而提高衬底温度分布的均匀性。
- 赵丽丽孙红卫李志明李志明
- 关键词：金属有机化学气相沉积磁场分布焦耳热数值模拟
- 金属有机物化学气相沉积生长的a(110)面GaN三角坑缺陷的消除研究
- 2009年
- 用金属有机物化学气相沉积方法在r面蓝宝石上生长了非极性a面GaN薄膜,通过采用AlGaN多量子阱插入层,得到了高质量的非极性GaN材料.用原子力显微镜和高分辨X射线衍射仪研究了a面GaN的表面形貌和结晶质量,发现非极性材料上典型的三角坑缺陷被消除,(110)面X射线双晶摇摆曲线的半峰宽为680″.
- 许晟瑞张进城李志明周小伟许志豪赵广才朱庆伟张金凤毛维郝跃
- 关键词：GAN原子力显微镜非极性
- 电磁加热装置
- 本发明公开了一种电磁加热装置，主要解决半导体衬底加热不均匀问题。该装置包括发热体和线圈，线圈(5)缠绕在发热体(1)的外部，发热体(1)上开有环形槽(6)，以改变热传导方向。当线圈中通入交变电流时，发热体上的环形槽(6)...
- 郝跃李志明张进诚白俊春
- 文献传递
- (1■02)r面蓝宝石生长的(11■0)a面氮化镓研究被引量：3
- 2009年
- 自发极化和压电极化是氮化镓制作光电器件没有解决的问题,对非极性GaN材料的研究解决了极化现象.采用低温AlN作为缓冲层,在(1■02)r面蓝宝石和(0001)c面蓝宝石上分别生长了(11■0)非极性a面和(0001)极性c面GaN,用原子力显微镜和高分辨X射线衍射、光致发光谱比较了生长在r面蓝宝石上的a面GaN和c面蓝宝石上的c面GaN,a面GaN材料质量和c面GaN相差较大,在a面GaN上发现了三角坑的表面形貌,这和传统的c面生长的极性GaN截然不同.对a面GaN的缺陷形成原因进行了讨论,并且确定了三角坑缺陷的晶向.
- 许晟瑞段焕涛郝跃张进城张金凤倪金玉胡仕刚李志明
- 关键词：氮化镓X射线衍射非极性
- 感应加热式MOCVD反应室的仿真与设计
- MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)设备作为化合物半导体材料研究和生产的手段,特别是作为工业化生产的设备,它的高质量、稳定性、重复性和规模化是其它的半导体材料生长设...
- 李志明
- 关键词：仿真流场
- 立式MOCVD反应室中一种刻槽基座的热分析被引量：3
- 2010年
- 在立式感应加热的氮化物MOCVD反应室中,提出了一种刻槽结构的基座;利用有限元法,给出了使衬底温度分布最均匀的槽的位置和大小。与传统的基座相比,这种刻槽优化后的基座,使衬底温度分布的均匀性显著提高。另外,通过对基座温度随加热时间变化的分析,发现刻槽基座的热传导规律,即刻的槽改变了基座中感应产生热量的热传导方向,衬底中的热量是由槽上下基座部分传递而来的,且随时间的增大,基座的温度趋于恒定,衬底的温度趋于均匀,均匀的衬底温度有利于提高生长薄膜的质量。
- 李志明郝跃张进成陈炽薛军帅常永明许晟瑞毕志伟
- 关键词：MOCVD热分析
- 氮化物MOCVD反应室流场的仿真与分析被引量：8
- 2010年
- 在立式MOCVD反应室中,通过对生长氮化镓(GaN)薄膜材料的仿真,发现衬底表面反应物三甲基镓物质的量的浓度分布与实际生长的GaN薄膜的厚度分布一致,同时,仿真结果表明,薄膜的厚度分布与反应室内涡旋的分布相关。通过分析涡旋产生的原因,对反应条件和反应室的几何条件作了进一步优化,发现在较低的反应室压强、较低的壁面温度和较大的气体入口半径条件下,能使涡旋明显减小,提高薄膜生长的均匀性。
- 李志明郝跃张进成许晟瑞毕志伟周小伟
- 关键词：GAN生长MOCVD数值仿真
- 电磁加热装置
- 本发明公开了一种电磁加热装置，主要解决半导体衬底加热不均匀问题。该装置包括发热体和线圈，线圈(5)缠绕在发热体(1)的外部，发热体(1)上开有环形槽(6)，以改变热传导方向。当线圈中通入交变电流时，发热体上的环形槽(6)...
- 郝跃李志明张进诚白俊春
- 文献传递
- GaN外延MOCVD设备反应室温度场的有限元分析及均匀性优化
- 2010年
- 首先采用有限元分析法对自主设计的感应加热MOCVD反应室的电磁场分布进行了数值模拟,得到了反应室内磁场强度的分布和石墨基座焦耳热的分布.然后以石墨基座焦耳热分布作为温度模拟的载荷,基于热传导和热辐射模型,模拟得到了MOCVD反应室和石墨基座的温度分布.为了提高石墨基座表面温度分布的均匀性,通过将常规的石墨基座同心放置调整为偏心放置,有效地改善了温度分布均匀性,同时提高了感应加热的效率.
- 张进成李志明郝跃王昊李培咸
- 关键词：MOCVD电磁场温度场有限元分析
- MOCVD片式红外辐射系统调节曲线的仿真与分析被引量：1
- 2012年
- 以片式红外加热的MOCVD反应室为研究对象,应用二位数学模型进行了有限元分析和计算,具体研究了加热器调节的依据——调节曲线的峰值变化情况。通过计算表明,片式加热器加热系统在石墨盘上的调节曲线峰值变化与加热器的加热功率、水平位置和大小有很密切的关系,文中解释了峰值移动的内在原因。得出设计加热器一些原则:加热器越多调节越灵活;外圈加热器最大加热功率要大于内圈加热器;最外圈加热器宜小。研究结果对MOCVD反应室加热系统设计以及在实际生产中的加热条件优化提供了参考。
- 胡莹璐李培咸李志明吴丽敏刘红才李丁玮白俊春
- 关键词：MOCVD有限元分析温度场
