辛煜
- 作品数:104 被引量:171H指数:7
- 供职机构:苏州大学更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金江苏省高校省级重点实验室开放课题江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域:理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- 一种等离子射流装置和组件以及一种晶硅电池表面氧化和除污的方法
- 本发明公开了一种等离子射流装置和组件以及一种晶硅电池表面氧化和除污的方法,其包括接地的空心杆状金属外管体(2),其特征在于,还包括:绝缘管(3)、金属阴极体(4)、金属阳极体(6)、进气通道(8)。本发明能够阻挡封装玻璃...
- 辛煜沈铭唐成双王哲李昊虞一青
- 文献传递
- 60MHz电容耦合等离子体中电子能量分布函数特性研究被引量:4
- 2008年
- 甚高频(频率大于30 MHz)耦合放电源由于能产生大面积高密度的等离子体而受到了人们的广泛关注.采用电流、电压探针以及朗缪尔探针诊断技术对60 MHz射频激发产生的容性耦合等离子体的放电特性及电子行为进行了研究.实验结果表明,等离子体的等效电阻/电容随着射频输入功率的增加而减小/增加;等离子体中电子行为不仅依赖于射频输入功率,还与放电气压密切相关;放电气压的增加导致电子能量概率分布函数(EEPF)从双温Maxwellian分布向Druyvesteyn分布转变,而且转变气压远低于文献所报道的数值,这主要是由于在60 MHz容性耦合等离子体中电子反弹共振加热效率大为降低.
- 孙恺辛煜黄晓江袁强华宁兆元
- C_2H_2/N_2流量比对沉积Ti(C,N)薄膜影响的研究被引量:1
- 1997年
- 以C2H2和N2为反应气体,Ar作载气,用多弧离子法在高速钢基片上沉积Ti(C,N)薄膜。所制备的薄膜分别用SEM,XRD,XPS等技术进行分析与测试。给果表明,薄膜结构比较致密,膜厚在1.5~20μm。薄膜呈现了较强的(111)择优取向,且该取向与流量比r=C2H2/N2有关、薄膜的主要构成是Ti(C,N),但膜中有石墨相存在。
- 辛煜范叔平吴建新金宗明杨礼富
- 关键词:高速钢
- 一种增强聚四氟乙烯材料表面粘接性能的两步等离子体处理方法
- 本发明公开了一种增强聚四氟乙烯材料表面粘接性能的两步等离子体处理方法,所述处理方法包括以下步骤:(1)采用第一等离子体对聚四氟乙烯进行表面处理,所述第一等离子体的放电气体为氩气或包含氩气的混合气体;(2)采用第二等离子体...
- 卢曼婷何弈马晓萍邓丽丽辛煜
- CF_4/Ar等离子体刻蚀中入射角对SiO_2刻蚀速率的影响被引量:2
- 2004年
- 在CF4/Ar的感应耦合等离子体中,用“法拉第筒”式的方法研究了SiO2刻蚀速率与不同离子入射角度之间的关系。在所施加的-20~300V射频偏压范围内,SiO2基片的归一化刻蚀速率(NER)呈现两种情况,当偏压值<100V时,归一化刻蚀速率的大小与基片倾斜角度θ符合余弦曲线规律;当偏压值>100V时,θ在15o~60o范围内,归一化刻蚀速率的大小在大于相应的余弦值,θ>60o时归一化刻蚀速率快速下降,在90o附近SiO2表面出现聚合物沉积。θ<60o时,SiO2的表面刻蚀主要决定于入射离子与基片表面间的能量转换,转换能量的大小深刻地影响着SiO2的刻蚀速率,同时也影响形成于基片表面的碳氟聚合物的去除速率。
- 孔华辛煜黄松宁兆元
- 关键词:感应耦合等离子体法拉第筒入射角
- 一种硅光阴极及其制备方法
- 本发明提供了一种硅光阴极及其制备方法,该制备方法包括:S1)在硅电极与光阳极相对的表面上进行析氢催化剂修饰,得到修饰后的硅电极;S2)在步骤S1)得到的修饰后的硅电极不含析氢催化剂层的表面上制备钝化保护层,得到硅光阴极。...
- 沈明荣范荣磊辛煜唐成双
- 文献传递
- 一种基于任务间优先关系约束的任务分配方法和系统
- 本发明涉及一种基于任务间优先关系约束的任务分配方法和系统,所述方法包括以下步骤:步骤一,对于任务集合中的每一个任务,根据该任务的条件任务集合,确定该任务的层次;步骤二、找出上述任务集合中所有的最终任务,组成最终任务的集合...
- 吴晓灿黄河孙玉娥辛煜张文哲黄丹镭施战李美璇杨文建崔景妹
- 文献传递
- SiNx薄膜的制备、结构及其光学性能表征
- 2005年
- 本文使用电子回旋共振等离子体化学气相沉积方法制备了非化学计量比的SiNx薄膜,使用红外光谱、拉曼光谱和紫外可见光谱等对SiNx薄膜的结构和光学性质进行了研究.结果表明,SiNx薄膜中随着Si:N原子比的增加,Si-N的红外伸缩振动从890cm-1波数向820 cm-1波数移动,拉曼光谱中出现了较明显的波数为480 cm-1的非晶硅的TO声子峰;实验发现,使用NH3作为前驱体所制备的膜中较N2具有更低的H含量;SiNx薄膜的光学带隙和折射率可以通过前驱体的流量比进行调制,实验结果表明光学带隙随着Si:N比率的增加而明显降低,从5.0 eV变化到2.5eV,而折射率则从1.9变化到2.2左右.
- 辛煜鲁涛黄壮雄濮林施毅宁兆元郑有炓
- 关键词:红外光谱光学性能
- 使用微感应耦合等离子体射流源高速沉积类金刚石碳膜被引量:1
- 2008年
- 提出了一种基于13.56MHz激发的微感应耦合等离子体射流源,含碳的等离子体射流在绕有水冷线圈的石英管中产生.激光拉曼光谱及紫外-可见光谱分别用以研究基片负偏压对所生长的非晶碳膜结构特征的影响.结果表明:碳基微等离子体射流具有很强的活性,碳膜的生长速率高达0.8μm/min,但随着衬底负偏压的增加而降低;Raman光谱显示在1 350cm-1、1 580cm-1附近存在D峰、G峰,是典型的类金刚石碳膜;薄膜中碳主要以sp2、sp3碳及无序的聚合碳链形式存在,随偏压的增加,薄膜中聚物碳链结构被打断,分解形成sp2、sp3碳杂化态,Raman荧光本底减弱,sp2和sp3的含量之比增加,光学带隙呈现降低趋势.
- 孙刚辛煜卢春山
- 关键词:类金刚石薄膜RAMAN光谱光学带隙
- 一种等离子射流装置和组件
- 本实用新型公开了一种等离子射流装置和组件,其包括接地的空心杆状金属外管体(2),其特征在于,还包括:绝缘管(3)、金属阴极体(4)、金属阳极体(6)、进气通道(8)。本实用新型能够阻挡封装玻璃中的钠离子进入硅片表面,从而...
- 辛煜沈铭唐成双王哲李昊虞一青
- 文献传递