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钱钢

作品数：6 被引量：3H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇离子刻蚀
  • 3篇晶体管
  • 3篇刻蚀
  • 3篇反应离子
  • 3篇反应离子刻蚀
  • 3篇硅
  • 2篇电路
  • 2篇频率特性
  • 2篇外延层
  • 2篇离子注入
  • 2篇静态特性
  • 2篇刻蚀技术
  • 2篇集成电路
  • 2篇集电区
  • 2篇超大规模集成
  • 2篇超大规模集成...
  • 2篇大规模集成电...
  • 1篇掩膜
  • 1篇深槽
  • 1篇深槽刻蚀

机构

  • 6篇北京大学

作者

  • 6篇钱钢
  • 5篇张利春
  • 5篇王阳元
  • 3篇阎桂珍
  • 2篇赵渭江
  • 2篇王咏梅
  • 2篇何美华
  • 1篇张大成

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇1995
  • 1篇1994
  • 2篇1993
  • 1篇1992
  • 1篇1991
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种新的硅深槽刻蚀技术研究被引量：3
1994年
本文报告了一种获得侧壁陡直的硅深槽新技术．实验中采用一种新材料──氮化锆（ＺｒＮ）作为反应离子刻蚀的掩模，所需掩模厚度约５００．采用氟基气体ＳＦ６作为刻蚀气体，并附加Ａｒ和Ｏ２，这样刻蚀过程中在槽的侧壁会形成氧化硅作为阻挡刻蚀层，结果得到了深约６μｍ，侧壁垂直接近９０°的硅深槽．
钱钢张利春阎桂珍王咏梅张大成王阳元
关键词：硅深槽刻蚀反应离子刻蚀
硅的深槽刻蚀技术
硅的深槽刻蚀技术是目前超大规模集成电路制造技术中的一项关键工艺。我们发明了一种新的刻蚀硅深槽的方法，采用极薄的Zr或ZrN膜(厚度为300至1000)作掩膜，利用反应离子刻蚀设备刻蚀硅槽，刻蚀气体选用对设备危害程度很...
张利春钱钢阎桂珍王咏梅王阳元
文献传递
离子注入局部补偿集电区的方法
本发明提供了一种可有效减小双极晶体管集电电容的新方法，即对器件外基区下对应的外延层区域进行高能离子注入，通过杂质补偿达到减小集电结电容的目的。本发明用于硅双极器件，不影响晶体管的静态特性，能明显改善晶体管的频率特性；用于...
张利春钱钢何美华王阳元赵渭江
文献传递
硅的深槽刻蚀方法
硅的深槽刻蚀技术是目前超大规模集成电路制造技术中的一项关键工艺。我们发明了一种新的刻蚀硅深槽的方法，采用极薄的Zr或ZrN膜(厚度为300A至1000A)作掩膜，利用反应离子刻蚀设备刻蚀硅槽，刻蚀气体选用对设备危害程度很...
张利春钱钢阎桂珍王咏梅王阳元
文献传递
离子注入局部补偿集电区的方法
本发明提供了一种可有效减小双极晶体管集电结电容的新方法，即对器件外基区下对应的外延层区域进行高能离子注入，通过杂质补偿达到减小集电结电容的目的、本发明用于硅双极器件，不影响晶体管的静态特性，能明显改善晶体管的频率特性；用...
张利春钱钢何美华王阳元赵渭江
文献传递
双层多晶硅自对准的高速双极晶体管研究
钱钢
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