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文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇医药卫生

主题

  • 5篇晶体管
  • 3篇集电区
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  • 2篇多晶硅发射极...
  • 2篇双极晶体管
  • 2篇频率特性
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  • 2篇静态特性
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  • 1篇神经切断
  • 1篇视神经
  • 1篇视神经切断
  • 1篇视网膜
  • 1篇视网膜节
  • 1篇视网膜节细胞

机构

  • 6篇北京大学

作者

  • 6篇何美华
  • 4篇张利春
  • 3篇王阳元
  • 2篇赵渭江
  • 2篇钱钢
  • 1篇赵宝瑛

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇电子学报

年份

  • 1篇2002
  • 1篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1995
  • 1篇1993
  • 1篇1992
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
视神经切断术后视网膜节细胞死亡机制的初步探讨
该实验的主要目的是系统地观察不同距离视神经切断术后视网膜节细胞死亡的情况,同时观察细胞色素c的释放和caspase-3的激活情况以及这三者之间的关系.在距离视神经盘1mm或3mm的位置切断成年金黄地鼠的左视神经后,立即将...
何美华
关键词:视网膜节细胞细胞色素C
超高速VLSI中多晶硅发射极晶体管串联电阻的测量
1996年
本文对目前流行的测量晶体管串联电阻的常规方法进行了理论分析和实验验证,结果表明,用常规方法测量多晶硅发射极晶体管串联电阻的误差很大。这里提出了一套测量晶体管串联电阻的新方法。新方法克服了常规方法的困难,满足了测量多晶硅发射极晶体管串联电阻的要求。
赵宝瑛何美华罗葵张利春
关键词:多晶硅发射极VLSI晶体管串联电阻
多晶硅发射极晶体管的集电区补偿注入技术
1997年
本文提出了一种新的提高多晶硅发射极晶体管和电路速度的方法,通过对器件外基区下对应的外延层区域进行离子补偿注入,降低相应外延层中的净掺杂浓度,有效地减小了外基区-集电区单位面积的集电结电容,有利于器件和电路速度的提高.由于内基区下对应的外延层浓度不变,对器件的直流特性无不良影响.本文给出了补偿注入研究结果和器件特性.
何美华张利春王阳元
关键词:多晶硅发射极晶体管集电区双极晶体管
离子注入局部补偿集电区的方法
本发明提供了一种可有效减小双极晶体管集电电容的新方法,即对器件外基区下对应的外延层区域进行高能离子注入,通过杂质补偿达到减小集电结电容的目的。本发明用于硅双极器件,不影响晶体管的静态特性,能明显改善晶体管的频率特性;用于...
张利春钱钢何美华王阳元赵渭江
文献传递
单层多晶硅自对准的高速双极晶体管研究
何美华
离子注入局部补偿集电区的方法
本发明提供了一种可有效减小双极晶体管集电结电容的新方法,即对器件外基区下对应的外延层区域进行高能离子注入,通过杂质补偿达到减小集电结电容的目的、本发明用于硅双极器件,不影响晶体管的静态特性,能明显改善晶体管的频率特性;用...
张利春钱钢何美华王阳元赵渭江
文献传递
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