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文献类型

  • 1篇国内会议论文

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇多量子阱
  • 1篇多量子阱结构
  • 1篇量子阱结构
  • 1篇半导体
  • 1篇ALXGA1...
  • 1篇波段

机构

  • 1篇北京大学

作者

  • 1篇沈波
  • 1篇许福军
  • 1篇黄呈橙
  • 1篇岑龙斌
  • 1篇潘建海
  • 1篇宋杰
  • 1篇苗振林
  • 1篇闫晓东
  • 1篇王新强

传媒

  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2010
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
基于3—5μm波段子带间跃迁的AlxGa1-xN/GaN多量子阱结构的材料生长研究
@@半导体多量子阱结构的子带间跃迁(ISBT)是电子吸收光子从量子阱导带中的基态子带到激发态子带之间的跃迁,其在光探测器,电光调制器和光开关等光电器件方面有巨大的应用前景。
黄呈橙许福军闫晓东宋杰苗振林岑龙斌潘建海王新强沈波
共1页<1>
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