刘铁驹
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 直拉硅中亚稳态缺陷的形成及其与氧的相互作用
- 本文对直拉硅样品进行了不同剂量的快中子辐照,在硅中引入大量的亚稳态缺陷,研究这些亚稳态缺陷的形成,并在较宽的温度范围内对辐照样品进行了退火处理,研究退火后亚稳态缺陷的转化及同硅中氧的相互作用,应用傅立叶变换红外光谱技术(...
- 刘铁驹
- 关键词：快中子辐照氧沉淀
- 文献传递
- 快中子辐照直拉硅中氧的存在状态与转化
- 对间隙氧含量高达10<'18>atoms/cm<'-3>的直拉硅样品进行了不同剂量的快中子辐照,使用傅立叶红外变换红外技术(FTIR)和正电子湮没技术(PAT)对样品进行了测试.结果表明,快中子辐照可以降低硅中的间隙氧含...
- 刘铁驹潘梦霄马巧云杨帅黄千驷刘彩池李养贤李翔沈浩平胡元庆李永章牛胜利李洪涛
- 关键词：快中子辐照直拉硅正电子湮没技术
- 文献传递
- Φ4″NTDCZ硅单晶的研制
- 采用中子辐照掺杂直拉硅单晶(NTDCZ)技术生产高均匀性电阻率的Φ4″晶体,合理的后退火工艺是消除氧热施主和辐照施主干扰电阻率均匀性的关键,850℃4小时退火、适当的冷却工艺是获得高质量单晶比较合适的条件.
- 胡元庆刘铁驹马巧云杨帅
- 关键词：硅单晶
- 文献传递
- 快中子辐照CZ-Si的FTIR分析
- 2004年
- 应用FTIR技术研究了不同剂量(1×1017～1.17×1019n/cm2)快中子辐照直拉硅(CZ-Si)的辐照缺陷和间隙氧在不同温度热处理时的行为.发现随辐照剂量的增加未退火的样品的间隙氧含量迅速下降,并且间隙氧的下降明显分为3个阶段.FTIR谱表明快中子辐照后主要的辐照缺陷为VO(829 cm-1)复合体.在低温条件下热处理300℃829cm-1(VO)开始消失并出现了825 cm-1(V2O2)、833cm-1(V3O2)、和840cm-1(V2O)和919cm-1(I2O2)四个红外吸收峰,退火温度升高到500℃后只剩下了825cm-1和919cm-1两个缺陷-杂质复合体的红外吸收峰.高温1100℃0.5h辐照引入的缺陷-杂质复合体很快的被消除.延长退火时间辐照样品和未辐照样品的间隙氧沉淀速度有很大的不同.
- 杨帅马巧云刘铁驹李养贤李永章牛胜利李洪涛牛萍娟
- 关键词：快中子辐照辐照缺陷VOFTIR
